Interruptor de silicio

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  • Publicado : 12 de febrero de 2010
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El DIAC y el interruptor de silicio bilaterales se agrupan como los dispositivos bilaterales o bidireccional, ya que pueden disrupción en cualquier dirección. También hay dispositivos de disrupciónque disrupción en una sola dirección, caen en la categoría de dispositivos de disrupción unilateral o unidireccional. Aunque los dispositivos de disrupción unilaterales son más frecuentementeempleados en SCR disparo, sino que también puede ser empleado en el circuito de disparo triac si tienen algunos circuitos de apoyo extra. Interruptor unilateral del silicio (SUS) es uno de los importantesdispositivos de disrupción unilateral.

Silicon Unilateral Switch
Característica VI del SUS
El símbolo esquemático y característica VI del SUS se muestra es la figura A y B, respectivamente.El SUS, como la SBS, tiene terminal de la compuerta que puede cambiar las características de disrupción de base se muestra en la figura. Mediante la conexión de un diodo Zener entre la puerta y elcátodo de un SUS, la tensión de disrupción se puede reducir a (V Z + 0,6 V). Esto se logra mediante la conexión de cátodo de diodo Zener a la puerta del SUS y el ánodo de diodo Zener al cátodo SUS .SUS puede ser despedido en un ánodo al cátodo muy bajo "tensión (alrededor de 1 V) si los flujos de corriente de compuerta de ánodo a puerta. SUSS son de baja tensión, dispositivos de baja corriente.La mayoría de SUSS una tensión de disrupción, de 8 V y un límite de corriente de menos de 1 A.

SUS Características
De cuatro capas de diodos
Diodo de cuatro capas es otro dispositivo dedisrupción unilateral. Su símbolo esquemático se muestra en la figura. La característica VI de diodo de cuatro capas SUS .y son los mismos y se ilustran en la figura. La característica VI de diodosde cuatro capas y SUSS es similar a la de un SBS, salvo que sólo tensión de disrupción es posible. Reverse avería puede suceder, pero sólo a un nivel de tensión mucho mayor que + V B0. Reverse...
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