Sensores de imagen

Sensor de imagen
El sensor de imágenes es un semiconductor diseñado a capturar fotones, luz en definitiva, y convertirlos en electrones. Es el corazón de cualquier cámara digital, como escáneres y otros dispositivos como astronómicos, científicos, militares y médicos.
Se pueden dividir de acuerdo a su tecnología en:
* Sensor CCD, es el más extendido tanto en fotografía como en video.
*Sensor SuperCCD, es el más extendido tanto en fotografía como en video.
* Sensor CMOS, que va ganando peso gracias a su menor consumo de energía y su menor coste de fabricación.
* Foveon X3 a diferencia de los anteriores no realiza interpolación de los colores para la obtención de la imagen.
* El modulo de sensor de imagen de contacto (CIS) se ha desarrollado para mejorar 1asdeficiencias del sistema de reducción de lente de sensor de imagen.

SENSOR CCD
Dispositivo acoplado por carga (CCD). Conduce su información mediante transferencia eficiente de paquetes de carga eléctrica a través del dispositivo. Las ventajas ofrecidas por la tecnología CCD son el incremento en la densidad de encapsulamiento respecto a la del arreglo del fotodiodo, la libertad en cuanto al retraso yla fluorescencia y la sensibilidad a bajos niveles de luz. Tal vez sea más significativa sea la libertad de distorsión geométrica de la imagen. Los cuatro tipos básicos de CCD son los 
| Lineales: Consiste en una fila de píxeles en una línea solamente. Para definir una imagen, debe escanear línea por línea, toda la imagen. Es un proceso lento, y requiere motores de movimiento.  |
|Interlineales: Cada píxel tiene un foto detector y un almacenamiento de carga. Se denomina también CCD de área. Ofrece una apertura que puede escanear cierta superficie de la imagen. |
| De marco completo: Ofrecen gran densidad de captura, siendo similares a las anteriores, y llenando secuencialmente el buffer, para seguir escaneando el resto de la imagen. |
| De transferencia de marcos:Similar al anterior, pero con cargas temporales para aumentar la velocidad, usando buffers. |

Funcionamiento
Considere la situación en la que se tiene un semiconductor tipo P sobre el que se ha depositado una capa delgada de bióxido de Silicio. En la capa de óxido se deposita un electrodo metálico. Antes de la aplicación de un voltaje los huecos están uniformemente distribuidos a través delmaterial, al aplicar un voltaje positivo, los huecos se expulsan del área baja el electrodo y se forma una capa de agotamiento. A cierto voltaje, el potencial superficial es tan alto que los electrones son atraídos hacia la superficie, en donde forman una capa delgada pero densa de carga negativa.
Esto crea un CCD canal tipo N. La capa de agotamiento podemos imaginarla como un pozo de potencial, unaregión de potencial en el material por debajo de la placa que actúa como sumidero de electrones. La capa de óxido entre el electrodo y el silicio ayuda a evitar deriva de carga lejos del pozo. El dispositivo que se ha descrito es un CCD de canal superficial.
En todos los dispositivos prácticos se utiliza una estructura de canal subterráneo en la cual la carga es almacenada bastante por debajode la superficie para efectos de una transferencia más efectiva.
El paquete de carga contenido en el pozo puede moverse a través del dispositivo mediante aplicaciones consecutivas de un pulso de voltaje a los electrodos de interconexión Inicialmente se supone que la carga está contenida bajo el primer electrodo. Cuando se aplica un potencial al segundo electrodo aumenta el ancho del pozo através de la región bajo los dos electrodos.
Ahora, la carga es compartida entre los dos electrodos. Al eliminar el voltaje del primer electrodo se provoca la destrucción del pozo, haciendo que toda la carga disponible pase al segundo pozo. El pozo y su carga asociada se han movido a través del semiconductor. Merece la pena señalar que la carga acumulada puede almacenarse durante varias horas sin...