teoria

Curvas características ideales del transistor bipolar
Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas características
que representan el comportamiento deltransistor bipolar en régimen estacionario. Vamos a
considerar las características de entrada y de salida en las configuraciones de Base Común y de
Emisor Común.
A. Características en Base Común deltransistor PNP

IC

IE
E

+

-

+

(entrada) VEB

C

-

VCB (salida)
IB

B

-

-

B

VEB (V)

Características de entrada del
transistor PNP en Base Común

IC (mA)
4Saturación

IE = 4 mA

3

IE = 3 mA
Zona activa

2

IE = 2 mA

1

IE = 1 mA
Corte

ICBO
+1

0

-2

IE = 0 mA
-4

-6

VCB (Volts)

Características de salida deltransistor
PNP en Base Común

B. Características en Emisor Común del transistor PNP
IC
C
+

IB

B

VCE

+
VBE
IE
E

-

-

E

VBE (V)

Características de entrada del
transistorPNP en Emisor Común

IC (mA)
Saturación
8

IB = 80 µA

6

IB = 60 µA
Zona activa

4

IB = 40 µA

2

IB = 20 µA
Corte

ICEO
0

-2

IB = 0 µA
-4

-6

VCE (Volts)Características de salida del transistor
PNP en Emisor Común

C. Características en Base Común del transistor NPN

IC

IE
E

+

+

(entrada) VEB

C

VCB (salida)
IB

B

-

-

B-

-

-

-

-

VEB (V)

Características de entrada del
transistor NPN en Base Común

IC (mA)
Saturación
4

IE = 4 mA

3

IE = 3 mA
Zona activa

2

IE = 2 mA

1

IE =1 mA
Corte

ICBO
-1

0

IE = 0 mA
2

4

6

Características de salida del transistor
NPN en Base Común

VCB (Volts)

D. Características en Emisor Común del transistor NPN

IC
C+

IB

B

VCE

+
VBE
IE
E

-

-

E
Características de entrada del
transistor NPN en Emisor Común

IC (mA)
Saturación
8

IB = 80 µA

6

IB = 60 µA
Zona activa

4...