Trabajo Pr Ctico N 1

TRABAJO PRÁCTICO Nº 1

Tema: Materiales semiconductores, Diodos.


Fecha de entrega: 13/05/2015


Materiales Semiconductores
1. Dibuje la estructura atómica del silicio y del germanio.
2. Con suspropias palabras, defina un material intrínseco.
3. Explique el proceso de dopado de un material.
4. Con sus propias palabras, defina un material extrínseco.
5. Describa las diferencias entre losmateriales semiconductores tipo n y tipo p.
6. Describa las diferencias entre las impurezas donoras y aceptoras.
7. Describa las diferencias entre portadores mayoritarios y minoritarios.
8. Dibuje laestructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico. ¿Qué tipo de material se formó?
9. Repita el problema 8 pero ahora inserte una impureza de indio.

Diodo Ideal
10. Describa con suspropias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositivo o sistema.
11. Describa con sus propias palabras las características de un diodo ideal y cómo se determinan los estadosde "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qué son adecuados los equivalentes de circuito cerrado y de circuito abierto.
12. ¿Cuál es la principal diferencia entre lascaracterísticas de un interruptor sencillo y aquellas del diodo ideal?

Diodo Semiconductor
13. Dibuje la curva característica del diodo y explique sus valores principales.
14. Describa cómo podría recordarlos estados de polarización inversa y directa para el diodo de unión p-n. Es decir, ¿cómo recordará el potencial (positivo o negativo) y el terminal sobre la que se aplica?
15. Enuncie la ecuación quepermite definir a un diodo real.
16. Utilizando la ecuación del diodo real determine la corriente de diodo a 20°C para el caso de un diodo de silicio con Is = 50 nA y una polarización directaaplicada de 0.6 V.
17. Repita el problema 14 para T = 100°C (punto de ebullición del agua). Asuma que Is se incrementó a 5 μA.
18. (a) Utilizando la ecuación del diodo real, determine la corriente de diodo...