Transistores FET

INDICE
INTRODUCCIÓN
Transistores de efecto de campo (FET)
Tipos
Características generales de los FET
Ejercicios
CONCLUSIÓN














INTRODUCCIÓN
Los transistores de efecto de campo (FET) es una clase de transistores muy utilizada en circuitos analógicos y digitales. De forma análoga los transistores bipolares se encuentran dos tipos npn y pnp, en los transistores deefecto de campo se habla de transistores FET se encuentran son los de canal n y de canal p. Son dispositivos constituidos por material semiconductor en el cual un campo controla la corriente, es decir, un campo controla el flujo de portadores a través de un canal conductor y de ahí le viene el término de efecto de campo. Atendiendo a su estructura física los FET se dividen en dos categorías,dispositivos de puerta aislada y dispositivo de puerta de unión. Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET.

Los primeros a misionara son los denominados FET metal-óxido-semiconductor (MOSFET), los cuales pueden ser una vez dedeplexión o empobrecimiento y de acumulación o enriquecimiento, en estos transistores su conductividad por el que circula la corriente se modula a través de una tensión aplicada entre el metal y el semiconductor. Y el segundo a mencionar son los JFET, en los cuales la modulación de la conductividad por el que circula la corriente se realiza a través de la anchura de las zonas de carga de espacio deuniones pn inversamente polarizadas. Estos transistores a trabajar se relacionan de tal manera que su explicación y aprendizaje será más sencilla.






TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
Los transistores de efecto de campo o FET son dispositivos de tres terminales el cual es controlado por Voltaje, esto quiere decir que una pequeña variación en el voltaje aplicado al terminal decontrol, se producirá una gran variación en la corriente en los terminales de salida, también denominan así porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. Estos transistores también se denominan unipolares para distinguirlo de los transistores de unión. Este transistor FET se utiliza mucho cuando se necesita unagran impedancia de entrada en los circuitos y se necesita una baja disipación de Potencia.

Simbología del transistor FET
TIPOS
En los transistores de Efecto de Campo o FET tenemos dos categorías: Los JFET y los MOSFET.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFET): su funcionamiento se basa en el control del paso de la corriente por el campo aplicado a la puerta, constituida por una ovarias uniones p-n polarizadas en inverso. Existen dos tipos de transistores JFET ambos basándose en la estructura n-p:

Simbología de los transistores JFET

JFET de canal n (nJFET), este componente está formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de ésta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. El canal N posee suficientes electroneslibre como para que se pueda establecer un paso de corriente.
JFET de canal p (pJFET), está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí.
FUNCIONAMIENTO DE LOS JFET

En los nJFET
Vgs=0
Se crea zona de deplexión (ausente de carga)Vds directa
A medida que Vds aumenta, lo hace también la zona de deplexión
Vds menor que vp, el nJFET es igual a una pequeña resistencia, teniendo un estado de conducción
Vds= Vp, Las dos zonas de deplexión se unen o dejan de crecer
Vds fija, variando Vgs
A medida que Vgs se hace más negativa, hay un aumento en la zona de deplexión y hay un estrechamiento del canal en la proximidades de...