Transistores
Páginas: 5 (1031 palabras)
Publicado: 4 de febrero de 2012
CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR
Configuraciones Básicas del Transistor
Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:
• Base común (BC).
• Emisor común (EC).
• Colector común (CC).
Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonasdiferentes:
[pic]
|[pic]Zona ACTIVA: |UE en Directa y UC en Inversa. |AMPLIFICADORES |
|[pic]Zona de SATURACIÓN: |UE en Directa y UC en Directa. |CONMUTACIÓN |
|[pic]Zona de CORTE: |UE en Inversa y UC en Inversa.|CONMUTACIÓN |
|[pic]Zona ACTIVA INVERTIDA: |UE en Inversa y UC en Directa. |SIN UTILIDAD |
Con esto vemos que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.
Configuración en BC
La zona que más nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuación analizaremos esta zona. La zona p debase suele ser muy estrecha en la realidad, más tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no emborronar el dibujo.
[pic]
El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrón cruce la barrera depotencial de la UE. Después ese electrón baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector.
[pic]
Esto es el efecto transistor de n a p tiene que subir la barrera de potencial pero luego es más fácil porque tiene que bajar la barrera.
De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, estoes el efecto transistor. La palabra colector viene de ahí, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor".
La base es muy estrecha y además está muy poco impurificada, esa es la razón de que la probabilidad de que un electrón se recombine sea muy pequeña (por ejemplo el 1%).
El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivode control.
Corrientes en un transistor
El convenio que teníamos con el diodo era:
[pic]
En el transistor también tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es como un nudo.
[pic]
Ejemplo: IE = 100 mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB = 1 mA y IC = 99 mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrón es negativo y siva en contra positivo.
[pic]
En los problemas por comodidad se suele cambiar de dirección a IE para que sea positivo.
[pic]
Configuración en EC
Esta configuración es la más utilizada. Como en la configuración en BC solo analizaremos la zona activa. Para lo cual necesitamos conocer las ecuaciones de la malla de entrada y la malla de salida.
1) Malla de entrada VBB =RB .Ib + Vbe
2) Malla de Salida Vcc = Rc.Ic +Vce
[pic]
Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La dirección de IE la cambiamos como en la configuración anterior.
[pic]
Ganancia de corriente βcc: (beta)
[pic]
A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequeña, en comparación con la IC.
[pic]
Curvacaracterística de entrada
Si variamos el valor de la pila VBB de la malla de entrada, tomando valores de IB y VBE podemos obtener la característica de (la malla de) entrada.
[pic]
Como vemos, el la característica del diodo base-emisor, y tiene una forma exponencial.
Curva característica de salida
Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes...
Configuraciones Básicas del Transistor
Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:
• Base común (BC).
• Emisor común (EC).
• Colector común (CC).
Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonasdiferentes:
[pic]
|[pic]Zona ACTIVA: |UE en Directa y UC en Inversa. |AMPLIFICADORES |
|[pic]Zona de SATURACIÓN: |UE en Directa y UC en Directa. |CONMUTACIÓN |
|[pic]Zona de CORTE: |UE en Inversa y UC en Inversa.|CONMUTACIÓN |
|[pic]Zona ACTIVA INVERTIDA: |UE en Inversa y UC en Directa. |SIN UTILIDAD |
Con esto vemos que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.
Configuración en BC
La zona que más nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuación analizaremos esta zona. La zona p debase suele ser muy estrecha en la realidad, más tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no emborronar el dibujo.
[pic]
El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrón cruce la barrera depotencial de la UE. Después ese electrón baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector.
[pic]
Esto es el efecto transistor de n a p tiene que subir la barrera de potencial pero luego es más fácil porque tiene que bajar la barrera.
De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, estoes el efecto transistor. La palabra colector viene de ahí, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor".
La base es muy estrecha y además está muy poco impurificada, esa es la razón de que la probabilidad de que un electrón se recombine sea muy pequeña (por ejemplo el 1%).
El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivode control.
Corrientes en un transistor
El convenio que teníamos con el diodo era:
[pic]
En el transistor también tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es como un nudo.
[pic]
Ejemplo: IE = 100 mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB = 1 mA y IC = 99 mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrón es negativo y siva en contra positivo.
[pic]
En los problemas por comodidad se suele cambiar de dirección a IE para que sea positivo.
[pic]
Configuración en EC
Esta configuración es la más utilizada. Como en la configuración en BC solo analizaremos la zona activa. Para lo cual necesitamos conocer las ecuaciones de la malla de entrada y la malla de salida.
1) Malla de entrada VBB =RB .Ib + Vbe
2) Malla de Salida Vcc = Rc.Ic +Vce
[pic]
Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La dirección de IE la cambiamos como en la configuración anterior.
[pic]
Ganancia de corriente βcc: (beta)
[pic]
A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequeña, en comparación con la IC.
[pic]
Curvacaracterística de entrada
Si variamos el valor de la pila VBB de la malla de entrada, tomando valores de IB y VBE podemos obtener la característica de (la malla de) entrada.
[pic]
Como vemos, el la característica del diodo base-emisor, y tiene una forma exponencial.
Curva característica de salida
Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes...
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