Transistores

ITESM-CEM
Virginia Graciano Martínez-A01165235


Dispositivo semiconductor en el que con el voltaje entre dos terminales DRENAJE y FUENTE, controla la circulación de corriente en el tercerterminal COMPUERTA.


JFET

Placa de semiconductor tipo n de material tipo p difundido en ambos lados

Operación cuando VDS incrementa
Operación cuando VDS es pequeño

Si VGS se mantieneconstante la unión de compuerta a canal tendrá voltaje cero a través de ella en el extremo de la fuente y una polarización aumentando progresivamente según haya movimiento hacia el drenaje.
En elextremo del drenaje, el voltaje de polarización inversa vDG será igual en magnitud a vDS. Se deduce que la región de agotamiento tendrá la forma piramidal, con el resultado que el canal será más estrechoen el extremo del drenaje. De esta forma conforme vDS se incremente, la resistencia del canal aumentará ocasionando que la característica de iD-vDS se vuelva no lineal.

Si VGS=0, habrá una estrecharegión de agotamiento o de detención y fluirá una corriente iD, en el canal.
Cuando VGS se va haciendo negativo, la región de agotamiento se ensancha y el canal se estrecha. Ya que VGS es pequeño,el voltaje de polarización inversa será aproximadamente el mismo en ambos extremos del canal, y el ancho del canal será uniforme.
El estrechamiento del canal ocasiona que aumente su resistencia y lacaracterística iD-vDS permanece como una línea recta pero con pendiente pequeña.

Estricción
Vp=vGS|iD=0, vDS=pequeño

Si se mantiene el crecimiento de la magnitud vGS en dirección negativa elcanal quedará completamente agotado de portadores de carga y por lo tanto no fluirá corriente.
vDG= -Vp
Si se mantiene el incremento de Vds, se alcanzará un valor en el que canal experimentaestricción en el extremo del drenaje. Esto ocurre al valor que resulta en el voltaje de polarización inversa en el extremo del drenaje cuando es igual al voltaje de estricción

El funcionamiento del FET...