Unidad 1

MATERIA: ELECTRONICA
ANALOGICA.
CATEDRÁTICO: ING. HUGO MENESES
CASTELLANOS.
ALUMNO: ESTEBAN PARRA
MARTÍNEZ
TRABAJO DE LA UNIDAD 1
FECHA: 17 DE SEPTIEMBRE DEL
2015.

UNIDAD 1.- DIODOS.
Un diodo es un componente electrónico de dos
terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo
sentido. Este término generalmente se usa para
referirse al diodosemiconductor, el más común
en la actualidad; consta de una pieza de cristal
semiconductor conectada a dos terminales
eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya
no se usa, excepto para tecnologías de alta
potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos:
una lámina como ánodo, y un cátodo.

1.1 CONSTRUCCION DE UN DIODO.
En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos
materialessemiconductores con contenido de carga
opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor
como silicio o germanio excesivamente cargado de
partículas negativas (electrones). El otro material es del
mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este
tiene la ausencia de cargas negativas .Cuando se aplica un
voltaje de paralización directa (voltaje de corriente directa)
la región iónica en la uniónse reduce y los portadores
negativos en el material tipo n pueden superar la barrera
negativa restante iones positivos y continuar su camino
hasta el potencial aplicado.

1.1.1 SEMICONDUCTORES
CONTAMINADOS P Y N
Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores
contaminados con impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son
aquellas que agregan un hueco en el material. Estas sonimpurezas con
3electrones en su órbita de valencia. Al tener solo 3 electrones queda
una unión incompleta dejando un hueco para que un electrón libre
pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la
conducción eléctrica se produce debido a su gran número de
huecos(portadores mayoritarios). Comparados con los electrones los
huecos tienen polaridad positiva. Los semiconductores tipo Nson
aquellos a los que se le agregan impurezas donaras (que donan un
electrón). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De estos 5
electrones 4 formarían una unión con los átomos vecinos y 1 quedaría
libre. De esta forma este material contiene un mayor número de
electrones libres comparados con los huecos libres. Este material es de
tipo N debido a que la conducción eléctrica se produce debido asu gran
número de electrones (Portadores mayoritarios) de polaridad negativa.

1.1.2 UNION PN

En una unión entre un semiconductor p y uno n, a
temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por
difusión hacia la zona n y los electrones de la zona n
pasan a la zona p. En la zona de la unión, huecos y
electrones se recombinan, quedando una estrecha zona
de transición con una distribución decarga debida a la
presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de
huecos y electrones. Se crea, entonces un campo eléctrico
que produce corrientes de desplazamiento, que equilibran
a las de difusión. A la diferencia de potencial
correspondiente a este campo eléctrico se le llama
potencial de contacto V0.

1.2 TIPOS DE DIODOS.
Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo reguladorde
tensión,
podemos
definirlo
como
un
elemento
semiconductor de silicio que tiene la característica de un diodo
normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido
de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa
superior a un determinado valor, presenta una tensión de valor
constante. Este fenómeno de tensión constante en el sentido
inverso convierte a los diodos de Zeneren dispositivos
excepcionalmente
útiles
para
obtener
una
tensión
relativamente invisible a las variaciones de la tensión de
alimentación, es decir, como dispositivos reguladores de
tensión.
Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, también llamado diodo
de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor
cuya característica principal es la de obtener una capacidad
que depende de la...