Unidad IV Transistores BJT

13/03/2015

Electrónica
Semiconductores
Transistores BJT
Bipolar Junction Transistor – Transistor de Unión Bipolar

Ing. Luis Armando Reyes Cardoso

Luis Armando Reyes Cardoso
Ingeniero Electricista – ITQ
PTC Mecatrónica.
email: 
lreyes@uttt.edu.mx
ingreyescardoso@gmail.com
Teléfono: 7329100 Conmutador
7329112 Mecatrónica
Ext. 412
773 1332620 (Móvil)
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4.1 Transistor de Unión Bipolar (BJT)
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El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por
dos uniones pn.
Las tres regiones se llaman emisor, base y colector.
Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de dos
regiones p separadas por una región n (pnp).
Eltérmino bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura de transistor.

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La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base‐emisor.
La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base‐colector,
como la figura (b) lo muestra: unconductor conecta a cada una de estas tres regiones.
Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente.
La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las
regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada.

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13/03/2015Operación Básica de un BJT
• Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben
estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos.

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Operación

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Corrientes del Transistor
(Flujo Real)

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8Corrientes del Transistor
(Flujo Convencional)

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Características y Parámetros de 
un BJT

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Beta de CD (βCD)
• La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd
del colector (IC) entre la corrientede cd de la base (IB) y se expresa como beta de
cd (βCD).

• Los valores típicos de βCD van desde 20 hasta 200 o más, βCD normalmente se
expresa como un parámetro híbrido (h) equivalente, hFE en hojas de datos de los
transistores.

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Alfa de CD (αCD)
• El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor
(IE) es el alfa de cd(αCD). La alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en
circuitos con transistores.

• En general, los valores de αCD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque αCD
siempre es menor que 1.
• La razón es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB.
• Por ejemplo, si IE = 100 mA e IB = 1 mA, entonces IC = 99 mA y αCD = 0.99.

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Modelo en CD de un Transistor

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Análisis del Circuito de un BJT

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Análisis del Circuito de un BJT

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Determine IB, IC, IE, VBE, VCEy VCB en el circuito de la figura. El transistor tiene una
βCD = 150.

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Curvas Características 
del Colector

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Curvas Características 
del Colector

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