Unidad IV Transistores BJT


13/03/2015












Electrónica



Semiconductores Transistores BJT
Bipolar Junction Transistor - Transistor de Unión Bipolar




Ing. Luis Armando Reyes Cardoso











Luis Armando Reyes Cardoso
Ingeniero Electricista - ITQ
PTC Mecatrónica.
email: 
lreyes@uttt.edu.mx
ingreyescardoso@gmail.com
Teléfono: 7329100 Conmutador
7329112 Mecatrónica
Ext. 412
773 1332620 (Móvil)Ing. Luis Armando Reyes Cardoso 2






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4.1 Transistor de Unión Bipolar (BJT)
• El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por
dos uniones pn.
• Las tres regiones se llaman emisor, base y colector.
• Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipoconsta de dos
regiones p separadas por una región n (pnp).
• El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura de transistor.










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• La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base‐emisor.
• La unión pn que une la región de la base y laregión del colector se llama unión base‐colector,
como la figura (b) lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas tres regiones.
• Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente.
• La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las
regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada.Ing. Luis Armando Reyes Cardoso 4






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Operación Básica de un BJT

• Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben
estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos.












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Operación

















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Corrientes del Transistor
(Flujo Real)















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Corrientes del Transistor
(Flujo Convencional)















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Ing. Luis Armando Reyes Cardoso 9Características y Parámetros de 
un BJT















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Beta de CD (CD)


• La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd
del colector (IC) entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de
cd (CD).



• Los valores típicos de CD van desde 20 hasta200 o más, CD normalmente se
expresa como un parámetro híbrido (h) equivalente, hFE en hojas de datos de los
transistores.





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Alfa de CD (CD)


• El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor
(IE) es el alfa de cd (CD). La alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en
circuitos con transistores.• En general, los valores de CD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque CD
siempre es menor que 1.
• La razón es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB.
• Por ejemplo, si IE = 100 mA e IB = 1 mA, entonces IC = 99 mA y CD = 0.99.




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Modelo en CD de un Transistor
















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Análisis del Circuito de un BJT














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Análisis del Circuito de un BJT














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