el amor

Condensación de vapores de sustancias químicas organometálicas
La MOCVD es muy extendida en la preparación de dispositivos III-V. Además de los gases hidruros empleados en materiales fuente enotros sistemas de CVD, en los MOCVD se usan alternativas liquidas menos toxicas.
Mientras que la VPE consiste en un proceso de condensación del material de un compuesto, la MOCVD se refiere a las fuentesde sustancia química iniciales utilizadas en el sistema. Las sustancias que se utilizan en el proceso son:
Trimetilgalio (TMGa) Trieltilgalio (TEGa) TM de Indio TE de Indio TM de Aluminio
Seusan también gases hidruros:
AsH3 PH3
Las impurezas aplicadas:
Dimetil zinc (DMZn) Bis-ciclopentadienil magnesio Seleniuro de hidrogeno (H2Se)
Esta técnica se utiliza en la fabricación deláseres de semiconductores, dispositivos de comunicación ópticos.
Fabricación de dispositivos
La oblea de GaAs con una capa de GaAsP que ja crecido por una técnica epitexial.
Depósito de nitruroSe efectúa una CVD de nitruro de silicio (Si3N4) a alta temperatura en un horno de difusión estándar.
Proceso fotolitográfico
Es el mismo que se utiliza en el procesamiento de dispositivos desilicio
Grabado húmedo
Se emplean diversas mezclas de soluciones acidas húmedo-químicas en baños de plástico instalados en estaciones de grabado con ventilación localizada.
Ácido Sulfúrico,fluorhídrico, clorhídrico, fosfórico.
Difusión
Se efectúa en una fuente solida de diarseniuro de zinc en una ampolla cerrada dentro de un horno de difusión de vacío a 720° C.
De impurezas se utilizan arsénicoy arseniuro de zinc.
Metalización
Se realiza evaporización inicial de aluminio con ayuda de un evaporador de haz de electrones. Después del decapado trasero, se lleva a cabo una última etapa deevaporación de oro.
Aleación
Se ejecuta en un horno de difusión a baja temperatura en una atmosfera inerte de nitrógeno.
Decapado trasero
Se hace para eliminar depositados (GaAsP, Si3N4,etc.) de...