Memorias eeprom de tv
CLASIFICACION:
En función de las operaciones que podemos realizar sobre ellas se clasifican en:
• Memorias de sólo lectura. Almacena datos de forma permanente
o ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramación de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva.
o PROM: (Programmable Read OnlyMemory): El proceso de escritura es electrónico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación. Permite una única grabación y es más cara que la ROM.
• Memorias de sobre todo lectura.
o EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma eléctrica, sin embargo, el borrado delos contenidos es completo y a través de la exposición a rayos ultravioletas (suelen tener una pequeña ‘ventanita’ en el chip).
o EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente eléctrica. Es más cara que la EPROM.
o FLASH Está basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es másbarata y densa.
• Memorias de Lectura/Escritura (RAM) Almacena datos temporalmente
o DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refrescamiento periódico. Son más simples y baratas que las SRAM.
o SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenanformando biestables, por lo que no requiere refrescamiento. Igual que DRAM es volátil. Son más rápidas que las DRAM y más caras.
EEPROM
Características de las memorias de tipo EEPROM:
Permiten el almacenamiento y la sobre-escritura de datos por medio de voltajes de operación.
Pueden borrarse selectivamente byte a byte con corriente eléctrica.
Sostienen la informaciónpor muchos años sin fuente de alimentación.
Se pueden conectar y comunicar fácilmente con microprocesadores.
TIPOS DE EEPROM
EEPROM PARALELAS: Usan una interfaz de comunicación paralela.
Esta interfaz es compatibles pin a pin con circuitos de memoria RAM o de memoria EPROM. Tiene varios pines externos por medio de los cuales recibe y entrega los datos y permite el direccionamiento delas distintas posiciones de almacenamiento. Debido a esto, los circuitos integrados son de gran tamaño físico, impidiendo ser utilizados en aplicaciones que requieran tamaño reducido.
EEPROM SERIAL: Usan una interfaz de comunicación serie.
El control se reduce solamente a unos cuantos pines:
• Entrada o Salida de datos en forma serial (1 ó 2 pines)
• Habilitación (1 pin)
• Relojde sincronismo (1 pin)
• Direccionamiento de dispositivo (3 pines)-no existen en la interfaz paralela
• Alimentación del circuito (2 pines).
Los datos y la dirección de las posiciones de memoria utilizarán únicamente uno o dos pines, dependiendo del tipo de comunicación utilizada (2 o 3 hilos ). La velocidad de transferencia de datos puede variar desde lo 100 KHz hasta los 600 MHz,dependiendo del tipo de memoria y del sistema de comunicación utilizados.
SERIES 24, 93 y 95 EEPROM CON INTERFACES DE COMUNICACIÓN SERIE
Serie 24: corresponde a los dispositivos de comunicación de dos hilos
[pic][pic][pic]
• SCL- Serial Clock
• SDA-Serial Data Bidirectional
Serie 93: corresponde a los dispositivos de comunicación de 3 hilos
[pic] [pic]• SK- Clock
• DI- Serial Data Input
• DO- Serial Data Output
Serie 95: corresponde a los dispositivos de comunicación de 3 hilos
[pic] [pic]
• C- Clock
• D- Serial Data Input
• Q- Serial Data Output
Si la memoria tiene más de 256 posiciones el direccionamiento se hace por medio de...
Regístrate para leer el documento completo.