Motor cd
Páginas: 29 (7218 palabras)
Publicado: 22 de noviembre de 2011
INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE COMALCALCO
INGENIERIA EN MECATRÓNICA
ASIGNATURA
ELECTRONICA
II
DOCENTE : M.C. Juan Carlos Yris Pastor
COMALCALCO, TAB.
FEBRERO 2011
0 ELECTRONICA DE POTENCIA JC YRIS /ITSC
I N D I C E
Introducción 1.- EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) 1.1 Circuito Equivalente 1.2 Encendido del SCR 1.3 Apagado del SCR 1.4 Características yrango del SCR 1.5 Aplicaciones de los SCR 1.5.1 Control de corriente en encendido –apagado 1.5.2 Control de potencia en media onda 1.5.3 Sistemas de iluminación para interrupciones de potencia 1.5.4 Circuito de protección contra sobre voltaje 2.- EL DIAC Y EL TRIAC 2.1 Diac 2.2 Triac 2.2.1 Aplicaciones 3.- EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) 3.1 Circuito Equivalente 3.2 Razón de espera 3.3Aplicaciones 3.4 Condiciones para el encendido y apagado 3.5 Ejercicio de practica 4.- EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT) 4.1 Establecimiento del voltaje de disparo 4.2 Aplicaciones 5.- DISPOSITIVOS ACTIVADOS POR LUZ 5.1 El fototransistor 5.2. Fotodarlington 5.2.1 Aplicaciones 5.3 El SCR activado por luz (LASCR) 6.- ACOPLADORES OPTICOS 6.1. Características eléctricas ANEXO 1 2 2 3 4 5 7 7 8 9 1012 12 13 15 15 16 16 18 20 21 21 23 23 23 23 25 26 27 27 28 29
BIBLIOGRAFIA: A) DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Thomas L. Floyd Editorial Limusa-Noriega Capitulo 11.- Tiristores y dispositivos especiales B) ELECTRÓNICA Industrial Moderna Timonthy J. Maloney Editorial Prentice-Hall Capitulo 6.- Los triac y otros tiristores
1 ELECTRONICA DE POTENCIA JC YRIS /ITSC
INTRODUCCION
La historia de laelectrónica de potencia empezó en el año de 1900, con la introducción del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al vacío de rejilla controlada, el ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos dispositivos tuvieron su aplicación en el control de la energía hasta la década de 1950. La primera revolución electrónica tiene suinicio en 1948 con la invención del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories. La mayoría de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en este descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se definió como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). La Segunda revolución electrónica empezó en 1958 con eldesarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrónica de potencia. Desde entonces se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de conversión. En la actualidad la revolución de la electrónica de potencia nos está dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energía con unaeficiencia cada vez mayor.
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, lostiristores de doble compuerta y el tiristor bloqueado por compuerta (GTO). Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que lo atraviesa con la caída de tensión entre las terminales principales.
El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: • • • • Tener dos estados claramente definidos,uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción). Poder controlar el cambio de un estado a otro estado con facilidad y pequeña potencia. Ser capaces de soportar grandes corrientes y altos voltajes cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus terminales, cuando está en estado de conducción. Ambas, condiciones lo capacitan para controlar...
INGENIERIA EN MECATRÓNICA
ASIGNATURA
ELECTRONICA
II
DOCENTE : M.C. Juan Carlos Yris Pastor
COMALCALCO, TAB.
FEBRERO 2011
0 ELECTRONICA DE POTENCIA JC YRIS /ITSC
I N D I C E
Introducción 1.- EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) 1.1 Circuito Equivalente 1.2 Encendido del SCR 1.3 Apagado del SCR 1.4 Características yrango del SCR 1.5 Aplicaciones de los SCR 1.5.1 Control de corriente en encendido –apagado 1.5.2 Control de potencia en media onda 1.5.3 Sistemas de iluminación para interrupciones de potencia 1.5.4 Circuito de protección contra sobre voltaje 2.- EL DIAC Y EL TRIAC 2.1 Diac 2.2 Triac 2.2.1 Aplicaciones 3.- EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) 3.1 Circuito Equivalente 3.2 Razón de espera 3.3Aplicaciones 3.4 Condiciones para el encendido y apagado 3.5 Ejercicio de practica 4.- EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT) 4.1 Establecimiento del voltaje de disparo 4.2 Aplicaciones 5.- DISPOSITIVOS ACTIVADOS POR LUZ 5.1 El fototransistor 5.2. Fotodarlington 5.2.1 Aplicaciones 5.3 El SCR activado por luz (LASCR) 6.- ACOPLADORES OPTICOS 6.1. Características eléctricas ANEXO 1 2 2 3 4 5 7 7 8 9 1012 12 13 15 15 16 16 18 20 21 21 23 23 23 23 25 26 27 27 28 29
BIBLIOGRAFIA: A) DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Thomas L. Floyd Editorial Limusa-Noriega Capitulo 11.- Tiristores y dispositivos especiales B) ELECTRÓNICA Industrial Moderna Timonthy J. Maloney Editorial Prentice-Hall Capitulo 6.- Los triac y otros tiristores
1 ELECTRONICA DE POTENCIA JC YRIS /ITSC
INTRODUCCION
La historia de laelectrónica de potencia empezó en el año de 1900, con la introducción del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al vacío de rejilla controlada, el ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos dispositivos tuvieron su aplicación en el control de la energía hasta la década de 1950. La primera revolución electrónica tiene suinicio en 1948 con la invención del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories. La mayoría de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en este descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se definió como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). La Segunda revolución electrónica empezó en 1958 con eldesarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrónica de potencia. Desde entonces se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de conversión. En la actualidad la revolución de la electrónica de potencia nos está dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energía con unaeficiencia cada vez mayor.
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, lostiristores de doble compuerta y el tiristor bloqueado por compuerta (GTO). Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que lo atraviesa con la caída de tensión entre las terminales principales.
El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: • • • • Tener dos estados claramente definidos,uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción). Poder controlar el cambio de un estado a otro estado con facilidad y pequeña potencia. Ser capaces de soportar grandes corrientes y altos voltajes cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus terminales, cuando está en estado de conducción. Ambas, condiciones lo capacitan para controlar...
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