Series de fourier

Tema 4 – Transistor de Efecto Campo. Rev3

TEMA 4 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Profesores: Germán Villalba Madrid Miguel A. Zamora Izquierdo
Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia

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CONTENIDO • • • • • • Introducción El transistor JFET Análisis de la recta de carga. Circuitos de polarización. Eltransistor MOSFET. El FET en conmutación.

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INTRODUCCION • Los transistores de efecto campo (FET) son dispositivos que, al igual que los BJT, se utilizan como amplificadores e interruptores lógicos. • Existen dos grandes grupos de FET: los de unión (JFET) ylos metalóxido semiconductor (MOSFET). Dentro de los MOSFET está el de acumulación, el cual ha propiciado los rápidos avances de los dispositivos digitales. • Diferencias entre BJT y FET:
– El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente. – El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa y saturación. – Los FET son la siguiente generación de transistores después de los BJT. –El flujo de corriente del FET depende solo de los portadores mayoritarios (Unipolares). – La corriente de salida es controlada por un campo eléctrico (fuente de tensión). – El apagado y encendido por tensión es más fácil que por corriente.
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MOSFET Y BJT. VENTAJASE INCONVENIENTES
• Ventajas
– Los FET son dispositivos sensibles al voltaje, con una gran impedancia de entrada (del orden de 10 Mohm a 1 Gohm). Al ser mucho más alta que la correspondiente a los BJT, se prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa. – Los JFET generan menos ruido que los BJT. – Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT; pudiéndose incluir un mayor númerode FET en un solo chip (requieren menor área), de aquí que memorias y microprocesadores se implementen únicamente con MOSFET. – Los FET funcionan como resistencias variables controladas por voltaje para valores pequeños de voltaje de drenaje a fuente. – La elevada impedancia de entrada de los FET permite que almacenen la carga durante tiempo suficientemente largo como para usarlos como elementos dealmacenamiento. – Los FET de potencia controlan potencia elevadas y conmutan grandes corrientes. – Los FET no son tan sensibles a la radiación como los BJT.

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Inconvenientes
– Los FET exhiben una pobre respuesta en frecuencia, debido a la alta capacidad de entrada. – Algunos FET tienen una pobre linealidad. – Los FET se dañan con el manejo debido a la electricidad estática.
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CLASIFICACION DE LOS FET
CANAL N
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN (JFET)

CANAL P

CANAL N (NMOS) ACUMULACION O ENRIQUECIMIENTO CANAL P (PMOS)
TRANSISTORES DE METAL OXIDO SEMICONDUCTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET)

CANAL N
DEPLEXION O EMPOBRECIMIENTO

CANAL PDepartamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia

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EL TRANSISTOR JFET
• La estructura física de un JFET (transistor de efecto campo de unión) consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos óhmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A loslados del canal existen dos regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal, conectados entre sí, formando el terminal de PUERTA. En el caso del JFET de canal N, la unión puerta – canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que prácticamente no entra ninguna corriente a través del terminal de la puerta. • El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n;...