Transistor bjt

EL TRANSISTOR BJT (TRANSISTOR DE UNION BI-POLAR, BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR)

Refrigeración – Módulo III, Submódulo I

El Transistor BJT

El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas eldispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados Estructura del BJTExisten 2 tipos de Transistor BJT el tipo NPN y PNP, lo cuales al igual que el diodo son hechos en base a semiconductores extrínsecos (dopados), y cuenta con 3 terminales que son Emisor, Base yColector. El Emisor es el material más dopado del transistor y su área es mediana. La función principal del Emisor es Emitir electrones. Hacia el colector. La Base es el material menos dopado y de área máspequeña. Su función es de servir como Base o referencia para los otros terminales. El Colector es el material de mayor área y medianamente dopado. Su función es de Colectar o recibir los electronesprovenientes del Emisor. Se deduce que según el dopaje: Emisor >> Base (mucho mayor); Base < Colector (Menor)

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de untransistor PNP

Encapsulados El transistor tiene posee diferentes tipos de encapsulados, dependiendo de sus características. Así por ejemplo, se tienen transistores de potencia, de alta ganancia, etc.Estas características y por supuesto, su dopaje diferencian a un transistor de otro, por lo cual cada tipo de transistor tiene un código propio que lo identifica del resto de sus homólogos. Cuando elencapsulado es metálico, entonces el terminal colector corresponderá a la carcasa del dispositivo.

Ing. Omar Ortiz Molina

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