• Familias logicas
    frecuencias de funcionamiento consecuencia de lo relativamente alta capacidad de entrada (puerta-sustrato) de las transistores MOS. cmos OPERACION DEL CIRCUITO EN ESTADO LOW-HIGH Los transistores de Efecto de Campo del tipo Semiconductor Complementario de Metal-Óxido(CMOS) difieren de los bipolares...
    2437 Palabras 10 Páginas
  • Electronica
    .- Respuesta a alta frecuencia de transistores 51 3.6.1.- Modelo de alta frecuencia de transistores bipolares, 52; 3.6.2.- E-C en frecuencias altas: efecto Miller, 54; 3.6.3.- E-C con resistencia de emisor en frecuencias altas, 54; 3.6.4.- C-C en frecuencias altas, 55; 3.6.5.- B-C en frecuencias...
    5310 Palabras 22 Páginas
  • Construcción De Amplificadores De Audios
    válvulas usan un transformador de salida, el cual añade distorsión del segundo armónico y presenta una caída gradual en la respuesta a altas frecuencias. 2.2. Amplificadores de transistores A los circuitos que no usan válvulas se les llama a transistores ó de estado sólido, porque no usan...
    9776 Palabras 40 Páginas
  • Ninguno
    baja (VLF), baja frecuencia (LF), frecuencia media (MF), alta frecuencia (HF), muy alta frecuencia (VHF), ultra alta frecuencia (UHF); súper alta frecuencia (SHF) y frecuencia extremadamente alta (EHF). Las ondas de c-a pueden considerarse en función de la longitud de onda, así como en función de...
    6032 Palabras 25 Páginas
  • Rakinrack
    pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas de los FET • Los FET´s presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. • Los FET´s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. • Los FET´s se...
    1189 Palabras 5 Páginas
  • trabajo de igbt
    : control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los electrodomésticos del hogar mediante la...
    2765 Palabras 12 Páginas
  • Respuesta en frecuencias de amplificadores
    condensadores de acoplo y desacoplo limitan su respuesta a baja frecuencia, y los parámetros de pequeña señal de los transistores que dependen de la frecuencia así como las capacidades parásitas asociadas a los dispositivos activos limitan su respuesta a alta frecuencia. Además un incremento en el número...
    13309 Palabras 54 Páginas
  • Colector Comun
    corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio vatio).Puede trabajar a frecuencias medianamente altas. Por todas esas razones, es un transistor de uso general, frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por los constructores...
    960 Palabras 4 Páginas
  • Fundamentos de electrónica analógica.
    : • Bajo ciclo de trabajo • Baja frecuencia (< 20 kHz) • Aplicaciones de alta tensión (>1000 V) • Alta potencia (>5 kW) CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS. TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLOS. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT CARACTERÍSTICAS DE...
    1133 Palabras 5 Páginas
  • Cuadro de transistores
    circuitos de electrónica de potencia.Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor...
    647 Palabras 3 Páginas
  • Fuentes de alimentacion
    de conmutación El transistor seleccionado debe de trabajar a frecuencias altas (consulte manuales de fabricantes)como el MJE15031, que es un transistor PNP de alta frecuencia de conmutación y de media potencia, para mayor información refiérase a las hojas técnicas del fabricante(motorola). Este...
    3965 Palabras 16 Páginas
  • Igbt
    : control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión...
    2828 Palabras 12 Páginas
  • APLICACIONES DE LA ELECTRONICA INDUSTRIAL
    adecuados para altos voltajes y altas corrientes. Transistores de inducción estáticos. Los transistores de inducción estáticos (SIT) son dispositivos de alta potencia a muy alta frecuencia. Son la versión en estado sólido del tuvo de vacío tríodo. Tipos de Circuitos electrónicos de potencia 1. Los...
    970 Palabras 4 Páginas
  • Amplificador Radiofrecuencia ( Rf) Y Frecuencia Intermedia (Fi)
    de FI? Normalmente, los amplificadores de FI, emplean transistores de alta frecuencia conectados en configuración de emisor común en donde el inductor se sintoniza mediante su propia autocapacidad. [pic] Un amplificador de emisor común tiene baja impedancia de entrada que deriva la señal...
    5531 Palabras 23 Páginas
  • Conversor De Voltage
    siguiente figura. (Pin 13): OSCILLATOR OUT Salida, y del doble de la frecuencia que las salidas. (Pin 14): VDD Tensión de fuente (entre 3V y 15 V). .- El transistor.- Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El...
    4374 Palabras 18 Páginas
  • Presentacion
    . Los osciladores son muy utilizados en circuitos de radio y dentro de las varias configuraciones existentes, se encuentran los Hartley, el cual es un circuito electrónico basado en un oscilador LC. Se trata de un oscilador de alta frecuencia que debe obtener a su salida una señal de frecuencia...
    2315 Palabras 10 Páginas
  • Ensayos varios
    . Los osciladores son muy utilizados en circuitos de radio y dentro de las varias configuraciones existentes, se encuentran los Hartley, el cual es un circuito electrónico basado en un oscilador LC. Se trata de un oscilador de alta frecuencia que debe obtener a su salida una señal de frecuencia...
    2279 Palabras 10 Páginas
  • Robotica
    tres tipos de transistores de potencia: * bipolar. * unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). * IGBT. Parámetros | MOS | Bipolar | Impedancia de entrada | Alta (1010 ohmios) | Media (104 ohmios) | Ganancia en corriente | Alta (107) | Media (10-100) | Resistencia ON...
    2866 Palabras 12 Páginas
  • Juan
    de onda cuadrada, normalmente de alta frecuencia (mas de 100 KHz) y luego al 'volverla a convertir a directa' se aprovecha la integración de la señal cuadrada y se obtiene una directa mucho más estable.  Estas técnicas son comunes en muchos dispositivos electrónicos, pues el transformador para 100...
    2158 Palabras 9 Páginas
  • Tara
    limitan su respuesta a baja frecuencia, y los parámetros de pequeña señal de los transistores que dependen de la frecuencia así como las capacidades parásitas asociadas a los dispositivos limitan activos su respuesta a alta frecuencia. La red RC constituye una buena base para extender los...
    526 Palabras 3 Páginas