Ibq Ieq Icq Vceq ensayos y trabajos de investigación

estar a la mitad; por lo tanto: Analizando la malla de salida: 2ICQ= ICmaxCA = VCEQ + ICQ RCA PERO COMO: ICQ = VCEQ VCEQ= ICQRCA RCA Y SI: VCC= ICQRCA + VCEQ + IEQRE Sustituimos ICQ y VCEQ por las igualdades anteriores y IEQ por ICQ; haciendo el desarrollo al final queda: ICQ = VCC RCD + RCA Ecuación para diseñar el Q...

814  Palabras | 4  Páginas

Mediciones reales. Circuito: Datos: ICQ = 5 mA VCEQ = 4 V RL = 1 K Elecciones: Transistor BC 548:  = 600 , Vcc = 12V. Cálculos: Re La ecuación de la malla de salida (aplicando Kirchhoff) es propuesta para obtener la Re: Vcc - VCEQ - ICQ x Re = 0 Vcc - VCEQ = ICQ x Re Re = ( Vcc - VCEQ ) / ICQ Re = ( 12V – 4V ) / 5mA Re = 1,6 k R1 y R2 ...

1130  Palabras | 5  Páginas

la idea moderna de circuito integrado. Del circuito de la figura 1 calcular: ICQ, IBQ, VCEQ; con los siguientes parámetros: β = 200, VBE = 0.7v, VBB = 1.5v, VCC = 9v. IBQ: -1.5+3.9kIb+0.7+220Ie=0 3.9kIb+220(1+β)Ib=0.8 Ib=16.63uA ICQ: Ic=βIb Ic=3.33mA Ie=3.33mA VCEQ: -9+220Ie+Vec+1kIc=0 Vce=4.94v Del circuito de la figura 2 calcular: ICQ, IBQ, VCEQ; con los siguientes parámetros: β = 200, VBE = 0.7v, VCC = 9v. Thevenin ...

880  Palabras | 4  Páginas

el circuito y medir el punto Q VBQ VCQ VRB IBQ = V_RQ/R_B V_(R_C ) I_(C_Q )= V_(R_C )/Rc β = I_(C_Q )/IBQ 0.64 V 13.04 V 19.5 V 0.04168803419 mA 7.14 V 7.2413 mA 173.7021 Grafique el punto ¨Q¨ Con el β obtenido anteriormente determine teóricamente el punto Q y compare con los valores anteriores MEDIDO CALCULADO VBEQ 0.64 0.7 VCEQ 13.04 12.86723 VRBQ 19.51 19.519 IBQ 0.04168803419 mA 0.041063829 mA VRcQ 7.14 7.14354mA ICQ 7.2413 mA 7.182b765957 mA β 173.7021 173.7021 ...

1139  Palabras | 5  Páginas

caballeros, Actividades sugeridas Unidad V 1 Diga algunas razone de por qué es importante el análisis de la polarización en dc para los transistores BJT. En las configuraciones polarizadas precedentes, la corriente de polarización ICQ y del voltaje VCEQ eran una función de la ganancia de corriente () del transistor. Sin embargo, ya que  es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar...

762  Palabras | 4  Páginas

 4.3 Configuración de polarización fija 1. Para la configuración de polarización fija de la figura 4.108, determine: a. VE. b.VB. c. VC. d. VCEQ. e. ICQ. f. IBQ 2. Dada la información que aparece en la figura 4.109, determine: VCE. RB. RC. IC. 3. Dada la información que aparece en la figura 4.110, determine: RB. VCC. IC. B 4. Encuentre la corriente de saturación para la configuración de polarización fija de la figura 4.108. *5. Dadas las características...

1454  Palabras | 6  Páginas

Polarización con divisor de voltaje. En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (ð ) del transistor. Sin embargo, ya que ð es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un circuito de polarización menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuración...

1034  Palabras | 5  Páginas

corte VCE (corte) = VCC La recta de carga Para que el amplificador quede en el punto medio la recta de carga Q. VCEQ = VCE (corte) / 2 ICQ = IC (sat) / 2 VCE (corte) Se expresa en Voltio IC (sat) Se expresa en mA. Para hallar el nuevo valor de la Resistencia de base y quede en toda la mitad de la recta Q. IBQ = ICQ / β RBQ = VBB – VBE / IBQ RBQ = β (VCC – VBE) / IBQ Polarización por división de tensión Para este tipo de polarización se debe tener en cuenta la siguiente condición: ...

1555  Palabras | 7  Páginas

tendremos una ganancia de 160000V por cada uno de entrada. 2 5.- Del circuito de la figura 1 calcular: Icq, Ibq, Vceq; con los siguientes parámetros: ß=200, Vbe=0.7V, Vbb=1.5V, Vcc=9V 6.- Del circuito de la figura 2 calcular: Icq, Ibq, Vceq; con los siguientes parametros: ß=200, Vbe=0.7V, Vcc=9V 7.- Para el circuito de la figura 3 calcular su punto de operación Q(Vceq,Icq) si el transistor tiene una ß=200, Vbe=0.7V 3 8.- Para el circuito de la figura 4, obtener un transistro...

681  Palabras | 3  Páginas

manipular para cambiar los valores y mas exactas muchas veces en su valor nominal). Luego de armado el circuito se procedió a calcular los siguientes valores Icq y Vceq en el circuito del transistor tanto teóricamente como de forma práctica. Valores tomados en el laboratorio (usando el multímetro del laboratorio): R2 (KΩ) | R3(KΩ) | Icq (mA) | Vceq(V) | 56 | 47 | 1.62 | 5.44 | 56 | 68 | 1.868 | 4.57 | 56 | 33 | 1.20 | 7.3 | 68 | 47 | 1.55 | 5.84 | 33 | 47 | 2.26 | 3 | ∞ | 47 | 0 | 12 | ...

553  Palabras | 3  Páginas

forma experimental, utilizando para ello la fuente diseñada y construida previamente. Desarrollo Para llevar a cabo el TP 2 se seleccionó el transistor BJT NPN de baja potencia BC547B. Las especificaciones requeridas fueron las siguientes VceQ IcQ 4 v 10 mA Además de la especificación del punto de trabajo fueron dados como datos los siguientes valores. Vcc RL RE C1 (acople de entrada) C2 (acople de salida) C3 (desacople RE) 12 v 1 Kohm 100 ohm 1 uF 10 uF 100 uF Consultando...

865  Palabras | 4  Páginas

Debido a esto casi todos los tipos de polarización acerca de los transistores bipolares se aplican a los transistores de efecto de campo con ciertas restricciones En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (b ) del transistor. Sin embargo, ya que b es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar...

867  Palabras | 4  Páginas

de operación y por tanto, del circuito de polarización. POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE En otras configuraciones de polarización (polarización directa base-emisor, polarización estabilizado en emisor) la corriente de polarización ICQ y el voltaje VCEQ de polarización eran una función de la ganancia de corriente (β) del transistor. Sin embargo, debido a que β es sensible a la temperatura, especialmente para los transistores de silicio, y de que el valor real de la beta por lo general, no...

1511  Palabras | 7  Páginas

polarización para emison común esta presentado en la figura B18.1 La polarización consiste en la determinación de los componentes externos al transistor que fijan en un determinado valor las magnitudes Ic, Vce, Ib, estos tres valores, indicados con Icq-Vbq-Ibq, constitute el “punto de reposo Q”del transistor. “aquí va la imagen b18.1” Determinacion de los ocmponentes de polarización Para demensionar los ocmponentes que garantiazan la polarisacion de un transistor pueden utilizarse dos métodos:...

1030  Palabras | 5  Páginas

terminales de un transistor así como también realizaremos pruebas con el multímetro que permitan determinar si un transistor está en buen o mal estado. Acto seguido se trabajaran algunas técnicas de polarización fija se analizara la dependencia del punto Icq tanto la temperatura como dicha ganancia. También tendremos que identificar el beta de cada circuito dado con un transistor y que función cumple cada uno de los transistores pedidos para esta practica; y rectifica si al hacer el montaje se obtienen...

551  Palabras | 3  Páginas

del voltaje DC de la fuente de alimentación aplicada al colector del transistor. VEE : Se refiere al valor del voltaje DC de la fuente de alimentación aplicada al emisor del transistor. VCEQ : Se refiere al valor del voltaje DC que existe entre colector y emisor del transistor. Valor del voltaje en el punto Q. ICQ : Se refiere al valor de la corriente DC que fluye por el colector del transistor. Valor de la corriente en el punto Q. vce : Se refiere al valor del voltaje SC que existe entre colector...

8081  Palabras | 33  Páginas

que describen el comportamiento de los materiales. Los otros dos son el campo eléctrico E y el desplazamiento eléctrico D. Polarización con divisor de voltaje. En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del voltaje VCEQ eran una función de la ganancia de corriente (b ) del transistor. Sin embargo, ya que b es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar...

1084  Palabras | 5  Páginas

pequeña que la Rc y lo suficientemente apropiada para estabilizar la Icq en un valor constante. Esta será entonces: Re= 47 Ω Ahora la Icq para máxima excursión simétrica es: Icq= Vcc/ (Rcc + Rca) donde Rcc= Rc + Re = 147 Ω Rca= Rc // RL = 50 Ω entonces nos quedara: Icq= 12V / (147 Ω + 50 Ω) = 60, 91 mA Para calcular la tensión entre colector y emisor en el punto Q se hará: VCE= Vcc – Icq Rcc = 12V – 60,91 mA . 147 Ω = 3,04V Ahora se calculará las...

1263  Palabras | 6  Páginas

para los cálculos teóricos asumiremos la relación de igualdad, entonces: VRE= Vcc/10. ¿Cómo funciona? Con los datos del punto Q (VCEQ e ICQ), el beta del transistor (b) y las resistencias de base (RB) y colector (RC) anteriores, podemos hallar los nuevos valores RB' y RC', así como RE. Sabemos que: VRE= IEQ*RE Además, IEQ = [(1+b)/b]*ICQ Entonces, RE= [(b/1+b)]*(Vcc/10ICQ) De la ecuación de la recta: IC= - [1/ {RC'+ [(1+b)/b]*RE}]*VCE + [1/ {RC'+ [(1+b)/b]*RE}]*Vcc ...

541  Palabras | 3  Páginas

normalizados al 5%. Los valores calculados y medidos fueron: IBQ, ICQ, VCEQ. Formulas y cálculos: ICQ=β*IBQ ICQ=1500.1mA=15mA RB=β(VCC-0.7VICQ) RB=1509V-0.7V15mA=83Ω ≈82Ω VCEQ=9V2=4.5V RC=1509V-4.5V15mA=300Ω A continuación se mostrara en la figura 1. Los valores medidos en la práctica, se cambió el transistor por otro de tipo NPN como el 2N3904 y se volvieron a tomar los mismos datos. FIGURA 1. VALORES MEDIDOS | IBQ | ICQ | VCEQ | 2N2222 | 0.1mA | 20.08mA | 2.75V | 2N3904 | 0.10mA...

2364  Palabras | 10  Páginas

lineal. Este punto está definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de superposición, la IC, IB y VCE del transistor tiene dos componentes: una continua y otra alterna, de forma que [pic] Donde ICQ, IBQ y VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en...

1570  Palabras | 7  Páginas

beta es muy pequeña. Si los parámetros del circuito son seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes de ICQ y VCEQ llegan a ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde de análisis anteriores que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ. El nivel de IBQ se alterará con cambios en beta, pero el punto de operación sobre las características definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se emplean parámetros apropiados del circuito. 5. PROCEDIMIENTO 5.1 Diseño...

1062  Palabras | 5  Páginas

operación Q IBQ VBE  0 iB  0 iB  VBB RB VBE  VBB vBEQ VBE  VBB vBE • Pto. De Operación. Intersección de la recta de carga con la curva característica de entrada. Electrónica, 2007 Joaquín Vaquero López 14 Transistor bipolar BJT Polarización. Análisis en CC. (Emisor Común)  Obtención del Pto. de Operación. iC iC  VCC RC Característica V-I de salida de un transistor • Circuito de salida VCC  iC ·RC  VCE • Recta de carga a la salida ICQ Punto...

1576  Palabras | 7  Páginas

de operación Q IBQ VBE  0 iB  0 iB  VBB RB VBE  VBB vBEQ VBE  VBB vBE • Pto. De Operación. Intersección de la recta de carga con la curva característica de entrada. Electrónica, 2007 14 Transistor bipolar BJT Polarización. Análisis en CC. (Emisor Común)  Obtención del Pto. de Operación. iC iC  VCC RC Característica V-I de salida de un transistor • Circuito de salida VCC  iC ·RC  VCE • Recta de carga a la salida ICQ Punto de operación...

1509  Palabras | 7  Páginas

cual el transistor permanece trabajando en la región activa. Datos: βF = hFE = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,1 V e ICO = 0. Fig. 1: Problema 1. Respuesta: a) El punto de operación del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ y el VCEQ. Este es un circuito autopolarizado. Para calcular el punto de operación se abre el circuito como se muestra y se sustituye por una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema de Thevenin. 1 R2 50...

3777  Palabras | 16  Páginas

 FACULTAD DE CIENCIAS EXPERIMENTALES Departamento de QUÍMICA FÍSICA Y ANALITICA Licenciado/Ingeniero... de QUÍMICA (plan 1996 ADAPTADO EN 2000) PROGRAMA DE LA ASIGNATURA: INTRODUCCIÓN A LA EXPERIMENTACIÓN EN QUÍMICA ANALÍTICA CARÁCTER : TRONCAL CRÉDITOS TEÓRICOS: CRÉDITOS PRÁCTICOS: 7 CURSO ACADÉMICO: 2005/06 CICLO: 1 CURSO: 2 CUATRIMESTRE: 1 ÁREA DE CONOCIMIENTO: QUÍMICA ANALÍTICA PROFESORADO QUE LA IMPARTE TEORÍA PRÁCTICA Mª ISABEL PASCUAL REGUERA NATIVIDAD RAMOS...

1605  Palabras | 7  Páginas

tiene el punto medio de la recta y con que curva de IB se cruza aproximadamente en este punto. Reporte estas coordenadas: IBQ ICQ VCEQ 20 µA 1.865 mA 8 V 2.3. Coloque un voltímetro entre el Colector y el Emisor (en una escala mayor o igual a 20 Vdc). Encienda Vcc y con P1 ajuste para que el voltaje VCE sea de 8 VDc. Mida con un miliamperímetro tanto IB como Ic y reporte: IBQ ICQ 24.8 µA 2.05 mA ¿Son estos valores similares a los del punto 2.2? La variación de la corriente de base es de 5 µA y la corriente...

2361  Palabras | 10  Páginas

como un diodo y por eso lo analizamos como un diodo. Gráfica del punto de operación de la malla B – E: VBB = IBQ*RB + VBEQ Análisis del circuito colector – emisor. VCC = VCE + IC*RC IC =-VCE/RC + VCC/RC Ecuación de la línea de carga. m = -1/RC El punto de operación Q depende de la corriente de base; donde intercepte la curva de IB la línea de carga de C – E, ese punto será Q. ICQ = IC La mejor amplificación que puedo tener en un circuito es exactamente a la mitad de la línea de carga. Esto...

13481  Palabras | 54  Páginas

Fueron mínimas, ya sea debido al medio donde ha sido expuesto este dispositivo, (el tipo de transistor era el mismo) aunque presente la beta con un rango diferente que el que se probó por primera vez.  2. ¿En cuál circuito las variaciones de IBQ, ICQ y VCEQ fueron menores al cambiar el parámetro indicado en su respectiva tabla? Se puede ver que las variaciones de estas corrientes se ven más en el circuito de polarización con resistor emisor. 3. En los circuitos de polarización realizados, ¿Fueron...

1206  Palabras | 5  Páginas

carga. Por tanto VCEQ = VCC 2 Esta ecuación establece a VC e IC además a que la unión base emisor actúan como un diodo: VBE = Vγ Escribiendo las ecuaciones de la LVK alrededor del lazo de la base, se tiene: VBB = RBιB + Vγ + ιCRE Se utilizan minúsculas y subíndices en mayúsculas para las variables. Esto indica valores (cd + ca) debido a que: ΙC = βιB Se tiene: Y el punto de operación: VBB - VBE ICQ = ...

6893  Palabras | 28  Páginas

els corrents i les potències dissipades respectivament: Figura 6 Habiliteu la visualització de les tensions i els corrents en contínua del circuit clickant sobre la icona corresponent. Compareu el punt de polarització del transistor (VBEQ, VCEQ, IBQ i ICQ) amb els resultats de l’anàlisi del mateix circuit sobre paper. Suposeu una β del transistor de 200. Calculeu el guany de l’amplificador a 10 kHz a partir de la visualització del senyal d’entrada i del de sortida. En la finestra de visualització...

1609  Palabras | 7  Páginas

representa por la letra Q y proporciona IBQ yVBEQ. Considérese ahora la malla de "colector" formada por VCC, RC y los terminales colector y base del transistor bipolar. La ecuación de esta malla es: VCC = iC RC + vCE (7.9) Esta ecuación puede representarse en los mismos ejes que la característica de salida del transistor bipolar. Corta al eje de abscisas en vCE = VCC = 5 V, y al eje de ordenadas en iC = VCC/RC = 5 mA. El punto de trabajo de colector, (ICQ,VCEQ), vendrá dado por la intersección...

28618  Palabras | 115  Páginas

desean obtener y que son: la corriente de base IBQ; la corriente de colector ICQ; la corriente de emisor IEQ; el voltaje base-emisor VBEQ y el voltaje colector-emisor VCEQ. En la mayoría de los casos, la corriente de base IBQ es la primera cantidad que se determina junto con el voltaje base emisor VBEQ, una vez que IBQ se conoce, las relaciones de las ecuaciones de malla pueden aplicarse para encontrar las restantes variables como la corriente de colector ICQ, etc. Las similitudes en los análisis serán...

2865  Palabras | 12  Páginas

Resistores: 1M5, 1M2, 4k7, 180k, 100k 3k3, 1k2. d. Transistor PNP 2SA733 e. Termómetro de contacto con indicador digital. f. Calefactor portatil g. Protoboard 3. Elementos de circuito e instrumentos a utilizar: 4. Circuitos a utilizar: IBQ constante o polarización fija (Cto.1) Realimentación por colector(Cto.2) Polarización por divisor de tensión (Cto.3) 4. Análisis teórico: 5. Valores Medidos: HFE: • Muestra 1: 177 • Muestra 2: 199 • Muestra 3: 223 • Muestra...

2512  Palabras | 11  Páginas

implemente el circuito b. Ajuste el potenciómetro de 1 MΩ para que VCEQ sea igual a 10V, Mida el Punto “Q” VBEQ | VCEQ | ICQ | IBQ | β | RB | 0,65V | 10,02V | 9,97 mA | 46 μA | 216,73 | 438KΩ | c. Con el β obtenido determine teóricamente el punto “Q” VCEQ | En la práctica regulamos a VCEQ = 10V | ICQ | ICQ = Vcc-VceRc = 20V-10V1KΩ = 10 mA | IBQ | IBQ = Icβ = 10 mA216,73 = 46,14 μA | VBEQ | VBEQ = 0,7V teórico. | ...

1826  Palabras | 8  Páginas

de carga para cc y ca. Para asegurar una am pli…cación lineal y m áxim a excursión sim étrica se deb e colo car el punto Q en el centro de la recta de carga de ca. Index Terms— Am pli…cadores Transistorizados i B [uA] IBQ RC RB vi (t) + + V EQ C t IB Q IC + i C [mA] V CC ICQ t I. Introduction Una de las aplicaciones más típicas del BJT es su uso como ampli…cador de corriente alterna. Dicha aplicación consiste en un sistema capaz de ampli…car la señal de entrada en un factor de ganancia...

3058  Palabras | 13  Páginas

Icp-p = IC(máx) = ic (SAT) ; → Vce (CORTE) = VCE(MÁX) = Vcep-p; → ic (pico) = ic (SAT) – ICQ = Ec. 2. Y Vce (pico) = Vce(CORTE) – VCEQ Ec. 3. Tomamos la ec. 1, y reemplazamos la ic por la ec. 2, y el Vce por la ec. 3, y la ec. 1 nos queda en: (ic (SAT) - ICQ) .rc + (Vce (CORTE) - VcEQ) = 0 Para hallar la ic ( SAT) que está en la coordenada de la Y, como condición fundamental es que la otra coordenada (X) debe...

1188  Palabras | 5  Páginas

operación del transistor. Existen 3 regiones que son de gran interés para aplicaciones prácticas: la región de corte, región lineal, y región de saturación. Variación de la resistencia de base. Armamos el circuito Nº 1. Medimos la Ic y Vceq y procedimos a llenar la tabla N° 1. • Reemplazando las R2, por los valores indicados en el cuadro y completando la 2 y 3 sucesivamente. • Volvimos a poner el resistor de 47 k como R2 y ahora en la R1 colocamos los valores en el cuadro y completamos...

687  Palabras | 3  Páginas

Po=15Watt Vi=50mV Vcc≤60volt Solución Se selecciona un Vceq=15v Po=(2*VceQ)ˆ28Rl Rl=7.5Ω Se va ha diseñar un amplificador de tres estapas estepas la primera emisor común y la segunda colector común. * Etapa 3 Colector común Re=Rl=7.5Ω=Rdc Zl=3.75Ω=Rac Icq=Vceq/Rac=4A Avt=15/0.05=300 Vcc=44Volt Se escoge un transistor Tip 122 que aguanta la IcQ y Vceq requeridos. Parámetros del transistor Para IcQ y VceQ Para hie y hfe Para hre y hoe Vbe1=1.563v Vbe2=1...

957  Palabras | 4  Páginas

primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigará la malla de colector a emisor.   3.4 Polarización con divisor de voltaje. En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (ð ) del transistor. Sin embargo, ya que ð es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar...

1793  Palabras | 8  Páginas

PSPICE como herramienta indispensable en el complemento de diseño, y avanzar al conocimiento de los tipos de análisis como barrido en DC(DC sweep) y barrido en AC (AC sweep) . 3. Obtener los puntos críticos de las rectas de carga de AC y DC como: ICQ, VCEQ, IC(MAX), IC(M), VCC(MAX,), VCC(M) 4. Manejar el osciloscopio en modo X, Y para encontrar los punto críticos de la recta de carga de AC y su excursión máxima. III. PROCEDIMIENTO PARA LA MPLEMENTACIÓN DEL DISEÑO A. Primer paso: ...

2042  Palabras | 9  Páginas

Con lo requerido en la clase por ser el equipo 1, ósea con Ic Max=50mA Vcc=12V Se hicieron los siguientes cálculos con la polarización directa, y la de auto polarización de base sabiendo que VCEQ=Vcc2 ICQ=ICMAX2 Estas son sus ecuaciones sabiendo que icq es la corriente del punto de operación y Vceq es el voltaje del punto de operación. FUNDAMENTO TEORICO El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(C), base...

1127  Palabras | 5  Páginas

la tabla 5.2, con el canal A del osciloscopio en acoplo de CD medimos los voltajes pero no pudimos medir las intensidades por falta equipo. |VBB(V) |VBEQ |VCEQ |IBQ |ICQ | |0 (tierra) |0 |10 |-------------------- |------------------- | |10 |733 mV |0 ...

2971  Palabras | 12  Páginas

configuraciones, emisor común y colector común. Trabajo previo Requisitos para la práctica de polarización Vcc=15v ICQ=3mA VCE=5v β=200 Con las características anteriores el transistor seleccionado fue un Bc457 que tiene una beta de 110 a 800, después de seleccionar el transistor adecuado se procede a realizar los cálculos. Para la configuración de emisor común. ICQ=IBβ IB=ICQβ=3mA200=15μA α=ββ+1=200201=0.995 IE=ICQα=3mA0.995=3.015mA VCC10=VE VE=1.5v RE=1.5v3mA=500Ω RC=VCC-VCEQICQ-RE=15v-5v3mA-1...

1013  Palabras | 5  Páginas

IB y la obtenida para la con figuración de polarización fija es el término (β + 1) RE. Figura 5. Malla de base-emisor Polarización con divisor de voltaje. En las configuraciones polarizadas precedentes, la corriente de polarización ICQ y del voltaje VCEQ eran una función de la ganancia de corriente (β) del transistor. Sin embargo, ya que β es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar...

1763  Palabras | 8  Páginas

MARTÍNEZ DOCENTE: ING. NELSON LONDOÑO OSPINA UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA FACULTAD DE INGENIERIA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELÉCTRICA 19 DE NOVIEMRE DEL 2012 INTRODUCCIÓN En las configuraciones de polarización comunes en los transistores ICQ y VEQ son funciones de la ganancia β del transistor. Pero es frecuente encontrarse de que el valor real de beta por lo general, no está bien definido y que al variar el transistor en la configuración del circuito, la respuesta de este se verá afectada...

517  Palabras | 3  Páginas

MULTISIM DEL CIRCUITO Punto Q  ICQ = 408.151 µA Valor real de ICQ  VCEQ = 0.987 V Valor real de VCEQ Máximas Excursiones Imagen 4.1 Lo que se hizo para medir la máxima excursión fue ir variando el voltaje de entrada manualmente hasta que la señal de salida se viera distorsionada. Por lo tanto se puede apreciar en la Imagen 4.1 que el valor en el cual la señal se ve distorsionada es de 1.7V. Por lo la máxima excursión es la resta de 1.7V – VCEQ, lo cual es 1.7V .987V = 0.713 V ...

609  Palabras | 3  Páginas

de las corrientes y voltajes de operaci´on (VCEQ , IEQ , ICQ , IBQ ) en los diferentes circuitos de polarizaci´on aplicados al transistor bipolar. • Trazar las rectas de carga de c.d. para cada una de ellas. • Calcular los valores de las resistencias para obtener un punto de operaci´on deseado. 7.2 Pre Reporte 1. Para los circuitos de las figuras 7.1 y 7.2 de esta pr´actica determine las condiciones de operaci´on (VCEQ , IEQ , VBQ , VCQ , ICQ , IBQ , β), la recta de carga de corriente directa...

10169  Palabras | 41  Páginas

ubicación del punto Q de trabajo para clase A y la forma como se comportan dinámicamente la corriente de colector y el voltaje de colector a emisor cuando varia la corriente de base. En este caso, el punto de trabajo (Q) corresponde a IBQ = 90 uA, ICQ = 5mA y VCEQ = 6V. Al aplicar una señal de entrada al circuito, las corrientes y voltaje del transistor variaran con respecto a sus valores de reposo, permitiendo que el dispositivo reaccione linealmente tanto a la parte positiva como a la negativa...

3677  Palabras | 15  Páginas

12v Tensión en el punto G respecto a tierra: Valor real: 4.12v Valor simulado: 3.995v Tensión en el punto H respecto a tierra: Valor real: 2.45v Valor simulado: 1.958v Halle el punto de operación: Valor real | Valor teórico | ICQ | VCEQ | VBEQ | ICQ | VCEQ | VBEQ | 15.5mA | 5.64v | 0.68v | 15.712mA | 5.705v | 0.691v | 5. Con el nivel de Vi del paso3 mida la respuesta en frecuencia del circuito F(Hz) | 100 | 500 | 1k | 2k | 5k | 10k | 20k | 30k | 50k | 70k | 100k | Vsalida-teórico...

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de pequeña señal (Ga) observemos que: V1=hie . ib V0=RL . iL Av=V1V0 =RL . iLhie . ib =-hfe ib1+RLRC. RL hie V1=hie .ib+Rehfe+1ib Diseño de un amplificador de baja señal con excursión simétrica máxima y opera con: ICQ=10mA VCC=10V hfe=100 Vcc=Ib*Rb+VBE Vcc=IC*Rc+VCE Rb=VCC-VbeIchfe=93KOhms IC=1RC*VCE+VCCRC RC=VCC2ICQ=500 Ohms (Ya que suponemos excursión simétrica máxima) Ai=11+hieReq-hfe1+RLRC=11+25049.97-1001+1kOhm500 Ohms=-55.5 Av=-hfe1+RLRCRLhie=-133...

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especificaciones del transistor, las cuales serán proporcionadas por el fabricante en los manuales respectivos y que deberán ser tomadas en cuenta en el diseño para una operación adecuada. Especificaciones: • icmáx • BVCEO • Pcmax = VCEQ ICQ Desde luego también se debe especificar su β, fT, etc. Si se grafican las especificaciones anteriores (figura 1.3): [pic] Fig. 1.3 donde: Pcmax adopta la forma de una hipérbola (equilátera respecto al origen de coordenadas), que...

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componentes que fueron parte de este montaje. CÁLCULO DE DATOS LOS DATOS TOMADOS EN DC Vce | Vbe | Vbc | Ib | Ic | Ie | 5.55V | 0.67V | -5.6V | 8.48µA | 0.299mA | 0.79mA | PARÁMETROS A TENER ENCUENTA PARA EL DISEÑO Vcc=15v VBE=0.7v ICQ= 0.3mA VCEQ= 5V VE = 5V βDC = 35 = βAC hOE=0 VBE=0,7V RL=4.7KΩ TEÓRICO ANÁLISIS ESTIMADO EN DC C5, C0, y CE circuito abiertos IC= βIB IB = ICβ = 0,3mA35 = 8,57uA IE= (β + 1) IB = (35+ 1) (8,57*10-6A) = 0,308mA IE= 0,308mA RE=...

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1.- Determine el valor de la ganancia de corriente directa (βF) del transistor para el punto de operación dado por: IBQ = 60 μA VCEQ = 10 V Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento. ICQ = 88 μA βF = 117 2.- Determine el valor de la ganancia de corriente alterna (β) del transistor para el siguiente punto de operación: IBQ = 60 μA VCEQ = 10 V Para ello determine de la misma familia de curvas: iC2 = 182 para iB2 = 80 μA iC1 = 132 para iB1 =...

3514  Palabras | 15  Páginas

la salida. POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE Circuito de polarización por divisor de voltaje: con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán casi inalterables. Es por esta razón que este tipo de polarización es la más utilizada cuando se trata de diseñar un amplificador. Las condiciones de polarización las fijaremos de la siguiente...

877  Palabras | 4  Páginas

AUTORES: Felipe Gómez; José Barra. Desarrollo o Diseño #1 Para un transistor NPN y/o PNP (tipo proporcionado por el profesor) diseñe un circuito amplificador de polarización universal (como el indicado en la figura 1) Vcc | ± 12[V] | ICQ | ± 20[mA] | VCEQ | ± 4[V] | R1//R2 | 2kΩ | Figura 1. Circuito de polarización universal Realizamos dos mallas en el circuito (malla in y malla out) * Malla in: Utilizando transformación de fuente: Ifte=VfteRserie=12VR1 Luego tenemos una fuente...

507  Palabras | 3  Páginas

Voltímetro Varias resistencias PROCEDIMIENTO 1) Analizar el siguiente circuito de polarización fija para calcular: IBq, Icq, VCEq, VBC, verificar (demostrar) si el circuito amplifica, y calcular la ganancia del amplificador con los niveles de voltaje (C.A.) obtenidos a la entrada y salida del circuito. Figura 1) Amplificador con polarización fija. 2) Medir experimentalmente IBq, Icq, VCEq, VBC y comparar los resultados con los datos calculados. La medición de estas variables son únicamente con el Vcc...

2571  Palabras | 11  Páginas

como con los requerimientos de ganancia, resistencia de entrada y salida. El procedimiento básico para diseño será Uִtilizar el cicrcuito de corriente continua y plantear las ecuaciones de la malla de entrada y salida usando los valores de b, ICQ y VCEQ. Uִtilizar el circuito de Corriente alterna con los parámetros a pequeña señal (figura 2 d) luego mediante las ecuaciones (1), (2) y (3), considerando los parámetros hie y hfe del transistor, para Av, Rin y Rout dados completar el sistema de...

1027  Palabras | 5  Páginas

osciloscopio III. PROCEDIMIENTO: 1) Arme el circuito de la figura # 1, con R1=6,8k; R2=2,2k; Rc= 1k; Re= 470 y Vcc= 9v; Ci1=Ci2=Ci3=10uF y Ce=100uF. FIGURA 1. 2) Desconecte los capacitores y mida el punto Q de cada transistor VCEQ; e ICQ. De acuerdo a los valores obtenidos, indique en que zona se encuentra trabajando el transistor. 3) Conecte los capacitares Ci1, Ci2 y Ci3 de 10uF y Ce=100uF para cada transistor (obtener el circuito que se muestra en la figura #1) 4) Selecte el...

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Voltímetro Varias resistencias PROCEDIMIENTO 1) Analizar el siguiente circuito de polarización fija para calcular: IBq, Icq, VCEq, VBC, verificar (demostrar) si el circuito amplifica, y calcular la ganancia del amplificador con los niveles de voltaje (C.A.) obtenidos a la entrada y salida del circuito. Figura 1) Amplificador con polarización fija. 2) Medir experimentalmente IBq, Icq, VCEq, VBC y comparar los resultados con los datos calculados. La medición de estas variables son únicamente con el Vcc...

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