EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) Transistor de Unión Bipolar (BJT) Transistor Bipolar Transfer y resistor La corriente que circula entre dos terminales está controlada por una señal aplicada al tercer terminal La corriente es transportada por portadores de ambas polaridades (electrones y huecos) BJT Disposiivo de 3 terminales: emisor, base y colector Dos tipos: PNP y NPN. La flecha del Emisor siempre se indica de P a N. PNP...
1024 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completo¿Qué es un BJT? Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja...
619 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR BJT EN CONMUTACIÓN Francisco Javier Ortiz Ortiz e-mail: fortizor@est.ups.edu.ec Universidad Politécnica Salesiana, Cuenca-Ecuador Resumen— En el siguiente informe presentamos algunas aplicaciones de los transistores BJT trabajando en corte y saturación. Aplicaremos algunos diferentes tipos de polarización y algunas de sus configuraciones mas importantes como puede ser en configuración monoestable, biestable y aestable. 1. INTRODUCCIÓN Los diseños de los diferentes circuitos...
2390 Palabras | 10 Páginas
Leer documento completo1.- Objetivos Explicar como se aplican los transistores BJT en una silla de ruedas eléctrica con sensores de proximidad utilizando como principio ondas ultrasónicas. Desarrollar la circuitería interna de la silla de ruedas eléctrica propuesta para el reporte. Analizar las bases de su funcionamiento. 2.- Introducción El ultrasonido de diagnóstico o de lata frecuencia se efectúa cuando un pulso de sonido es liberado a través de un medio y la detección de un “eco” de este sonido, regresa...
500 Palabras | 2 Páginas
Leer documento completoCuadro Comparativo de las Características de los Transistores BJT y los FET BJT | LOS FET | | JFET | MOSFET | EL transistor BJT está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector | Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se llaman drenado, fuente y puerta | Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se...
525 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT TRANSISTOR BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) • Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. • El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). • Los transistores...
769 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completocompletamente saturados (activo) o en corte (desactivado) Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de potencia incluyen a los transistores de unión bipolar (BJT), y los unipolares que son los MOSFET y dispositivos híbridos como el transistor de unión bipolar de puerta aislada (IGBT) Transistor Bipolar (BJT) Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en Sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector). En función de la disposición de las uniones, existen...
977 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completocontroladores de corriente Parámetros h Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos más exactos. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los...
1086 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTransistor Bipolar (BJT) Joaquín Vaquero López Electrónica, 2007 Joaquín Vaquero López 1 Transistor Bipolar (BJT): Índice 4.1) Introducción a los elementos de 3 terminales 4.2) Transistor Bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Estructura. Efecto transistor. Circuito simple de un transistor. 4.3) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I. Polarización. Modelos. 4.4) Configuraciones. Emisor Común, Colector Común y Base común 4.5) Aplicaciones. Transistor real. ...
1576 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR BJT i. Definición: Un transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales: emisor (E), colector (C) y base (B), dos uniones y doble polaridad. ii. Clasificación: Esta formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando así la clasificación del BJT en NPN (dos capas de material tipo n y una capa tipo p) y PNP (dos capas de material tipo p y una tipo n). A cada...
1477 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completohttp://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/ 1 TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN 1. Introducción 2. Circuitos en conmutación con BJT. 3. Circuitos en conmutación con MOSFET. 1. Etapa inversora MOSFET 2. Etapa CMOS 3. Etapa inversora MOS de carga integrada María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 2 TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN Hasta ahora, los circuitos...
1203 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoinglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su...
979 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoCONSTRUCCIÓN DE LA RECTA DE CARGA DE AC Y DC DE UN AMPLIFICADOR EN EC CON TRANSISTOR BJT SERGIO ANDRES PATIÑO 1160847, SHARON DARLING SANCHEZ 1160496, MARIA INES MEJIA 1160373 Universidad Francisco de Paula Santander Abstract--- En esta práctica se analizara el comportamiento del amplificador de emisor común a través de sus rectas de carga en ac y dc, utilizando los diferentes tipos de análisis disponibles con la herramienta de simulación ORCAD SPICE, los diferentes instrumentos...
856 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completodiodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. Ejemplo en un transistor NPN. Cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana alemisor hasta...
702 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR BJT - PUNTOS DE TRABAJO Universidad Distrital Francisco José de Caldas Resumen: Este trabajo contiene cierta información referente al transistor 2N2222, aplicaciones, manejo y el transcurso desde su creación hasta nuestros dias, los cuales a lo largo del tiempo nos ha facilitado ciertos aspectos en nuestra vida cotidiana. Palabras claves: Transistor, polarización, configuración, puntos de trabajo, saturación. INTRODUCCION: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas...
1010 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoElectrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electromecánica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “Configuraciones Básicas de Amplificación con Transistores BJT” OBJETIVOS 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT. 2. Obtener la ganancia del circuito a partir del modelo en pequeña señal del transistor BJT. 3. Observar como varían los parámetros del modelo en pequeña señal en función del punto de polarización. 4. Verificar como el punto Q establece el manejo...
1351 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoAugusto Miranda Transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) . Alumno: Maaaaaaaaariguana Introducción Los semiconductores vinieron a revolucionar el modo de automatizar procesos y de pensar nuevas formas de hacer las cosas, uno de sus emblemas más conocidos si es el que más es el transistor. El presente trabajo explica la forma de operar y aplicabilidad de los transistores de unión bipolar o como se conocen por sus siglas en ingles Transistores BJT. Transistores Los transistores...
511 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoCAMPO El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye. El JFET...
1208 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoE p n p B •Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base •Tiene 3 modos de operación: Corte, Saturación y Activo. Modo Unión E-B Unión C-B Corte Inverso Inverso Activo Directo Inverso Saturación Directo Directo C Transistores BJT en modo activo E n p B n C IC=IS(eVBE/VT) IB=IC/ IE=IC+IB=IC/ •En este modo la corriente de colector es determinada por la ecuación anterior. •La corriente de base es una fracción de la corriente de colector •El valor de es típico de 100 a...
663 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completointegrados de uso común en la industria, en donde el entender el comportamiento de estos elementos es indispensable para su funcionamiento y comportamiento bajo diferentes condiciones de operación. Marco Teórico El transistor de juntura bipolar (BJT), elemento activo, tiene tres zonas de dopado: emisor, base y colector, dependiendo del tipo de dopado se clasifican en transistores npn o pnp. Se puede decir que estos elementos están formados por dos uniones pn, una entre emisor y base y la otra entre...
1590 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoINGENIERIA ESCUELA DE ELECTRONICA CÁTEDRA: LABORATORIO ELECTRONICA 2 SECCIÓN: H-713 AMPLIFICADOR CON BJT EN EMISOR COMÚN PRESENTA DO POR: Br. DAVILA, ZULMA. Br. ESCALONA, EDDY Maracaibo, Septiembre de 2013 Introducción En esta práctica profundizamos en el conocimiento de la amplificación en general y del amplificador de una etapa formado por un BJT en emisor común, en particular mediremos el punto de operación, las impedancias de entrada y salida, los márgenes...
1080 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completohttp://www.informania.com.ar/tema6/Paginas/Pagina0.htm BJT Regiones operativas y configuraciones El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor...
841 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoLAB#2 POLARIZACIÓN BJT Nikolay Niño Suarez cod: 201122501600 Oscar Rodríguez cod; 201021014600 Camilo Jimenez cod; 2010200066 ABSTRACT An element as simple as the transistor, which offers various properties which allow obtaining different applications depending on the mode as it is polarized, this polarization obtain inverter circuits, amplifier, oscillator, etc.. In the lab will conduct the polarization of a dual-source transistor 2N2222 for a profit to the output current INTRODUCCIÓN ...
682 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completodispositivos semiconductores de potencia Transistores BJT M.C. Geovanny Giorgana Unimayab 19 de febrero de 2013 Transistores bipolares Un transistor bipolar tiene tres terminales, colector, emisor y base. En un transistor bipolar encontramos dos uniones: la uni´n o colector-base (CBJ) y la uni´n base-emisor (BEJ). o (a) Transistor NPN (b) Transistor PNP Figura 1: Transistores bipolares. Modos de operaci´n de un BJT o Modo Corte Activa Saturaci´n o Uni´n o emisor-base ...
979 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoDE INGENIERIA MECANICA CENTRO DE DESARROLLO E INVESTIGACION DE MECATRONICA TRANSISTOR BJT Un transistor de unión es un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupación da lugar a 2 tipos de transistores según la disposición de las capas. Transistor bipolar, de unión o BJT es lo mismo. Transistor PNP Transistor NPN Simbología Si el transistor tiene la capa...
1583 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoUNIVEPRÁCTICA 4RSIDAD POLITÉCNICA SALASIANA TEMA: EL BJT COMO INTERRUPTOR (EN CONMUTACIÓN) NOMBRE: BYRON PARRA FECHA: 25/10/2011 ANEXO SIMULACIÓN TRANSISTORES EN CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN Muchas veces se presenta la difícil situación de manejar corrientes o tensiones más grandes que las que entrega un circuito digital, y entonces nos disponemos al uso de transistores, el tema es hacer que estos trabajen en modo corte y saturación sin estados intermedios, es decir que cambien su estado...
590 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo1 Informe: Transistores BJT Asignatura: Electr´ nica Anal´ gica o o Docente: Oscar Marino D´az Betancur ı Monitor: Mario Alejandro Berrio Perdomo - Grupo N◦ 6 Santiago Cardona Aricapa Cod: 211013 Juan Pablo Bedoya Alzate Cod: 211008 Universidad Nacional de Colombia - Sede Manizales 15 de Mayo del 2013 Abstract—En el siguiente informe se expondr´ lo refea rente al an´ lisis del funcionamiento del transistor bipolar a BJT 2N2222 y las caracteristicas de los dispositivos semiconductores...
782 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoTransistor BJT como amplificador Juan José padilla Mora Juanpadimo93@gmail.com Daniel José Rodriguez Mora Danieljoserm@gmail.com RESUMEN: En el siguiente informe de laboratorio se analizaran los resultados obtenidos tras realizar el experimento de transistor BJT como amplificador. Entre los objetivos principales de este experimento se tiene el dimensionado del circuito amplificador básico con un BJT. Se aprendió como calcular los valores de las 5 resistencias y los 3 capacitores(acople...
1456 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoEl Transistor de Unión Bipolar (BJT) El BJT (Bipolar Juction Transistor) es un dispositivo semiconductor de estado sólido formado por dos uniones PN muy cercanas entre sí en un solo cristal. Así, se puede formar por la unión de un material “p” entre dos “n” (BJT npn) o un material de tipo “n” entre dos “p” (BJT pnp). Esta característica permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Es uno de los principales dispositivos que se utiliza para operaciones de amplificación...
757 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completo05/09/2011 BJT (Bipolar Junction Transistor) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una capa tipo p o de dos capas de material tipo p y una capa tipo n n. Transistor de unión bipolar (BJT) BJT) Electrónica Analógica Felipe de Jesús Figueroa Del Prado BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT (Bipolar Junction Transistor) Transistor de unión bipolar El término bipolar refleja el hecho de que huecos y q electrones participan...
713 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoSANTIAGO MARIÑO CABIMAS EDO-ZULIA REALIZADO POR: 1) Transistor BJT (Definición) El transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es también conocido como transistor de unión. Como su nombre lo indica, es un dispositivo de tres terminales, dos uniones y doble polaridad. Está formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando así la clasificación del BJT en NPN y PNP, tal como muestra la figura 1. A cada capa se le asocia...
1240 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTransistores BJT y FET Transistor de unión bipolar (BJT) El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son...
1252 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoTRANSISTORES BJT EN FRENCUENCIAS MEDIAS DOCENTE: Ing. Sergio Rodríguez B. INTEGRANTES: Sebastian Almaraz Maureen Arámbulo Alvaro Calatayud FECHA: 2 DE Marzo del 2012 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT EN FRENCUENCIAS MEDIAS 1. OBJETIVOS.- • Diseñar, analizar y caracterizar circuitos amplificadores en frecuencias medias en las distintas configuraciones utilizando transistores bjt. • Comprender...
1238 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoProblemas Adicionales. Capítulo 6: Amplificadores BJT Problemas Resueltos de Componentes y Circuitos Electrónicos. E. Figueres, M. Pascual, J.A. Martínez e I. Miró. SPUPV-2000.4175 Problema 6.3ver1 En el circuito de la figura 6.3.1, no se conoce el valor de RE1. Calcule RE1 para que la ganancia de tensión resulte –5. Nota: El transistor se encuentra polarizado en zona activa, con h fe = β = 100 y hie = 21,8kΩ . Solución: El circuito en alterna está representado en la figura 6.3.2bis...
1016 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoseñal armónica), Estas serán desfasadas, produciendo una señal de salida diferente a la de la entrada. La señal que tiene su frecuencia dentro de la banda pasante se desfasa 180°, pero la otra señal tiene un desfase diferente. Analisis De Frecuencia Bjt 1.1 RESPUESTA EN ALTA Y BAJA FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR La respuesta en frecuencia de un amplificador es una representación de su ganancia en función de la frecuencia. Como se muestra en la Figura 1.1, la ganancia de un amplificador en alterna...
650 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoRESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR BJT PRECENTAN: EDWIN MARTIARENA RODRIGUEZ SAMUEL PENCA NOPAL ANGEL EDUARDO YAÑEZ RIOS ISAAC GRANADOS HERNANDEZ JOSE SANTIAGO CARDENAS HERNANDEZ MANUEL ALEJANDRO GARCIA GARCIA TROY FERNANDO GOMEZ BONILLA 14 DE AGOSTO DEL 2013 OBJETIVO Al término de la práctica el alumno comprenderá el comportamiento de un amplificador BJT con diferentes niveles de frecuencia. INTRODUCCION El transistor BJT nos hará ver su funcionamiento, el cambio de...
623 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR BJT (TRANSISTOR DE UNION BI-POLAR, BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR) Refrigeración – Módulo III, Submódulo I El Transistor BJT El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en...
876 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoGanancia de corriente β dc β dc se define como la ganancia de corriente de un transistor. Es la relación entre la corriente de colector y la corriente de base. La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (menores a 1W, la ganancia de corriente es típicamente de 100 a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen ganancias de entre 20 y 100. Alfa de continua α dc Otro parámetro...
1019 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoBIPOLAR (BJT) El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PNmuy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero...
1304 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completodecrecimiento de las capacitancias parásitas internas del transistor y de cableado. Figura 1.1 Respuesta en frecuencia de un amplificador de alterna El enfoque de esta sección será la ubicación de las frecuencias criticas (f1 y f2) dado un amplificador BJT o FET. Estas dos frecuencias son clave para la respuesta en frecuencia, ya que a partir de estas se puede conocer el intervalo medio en la cual el amplificador debe operar. Frecuencia de corte inferior En la Figura 1.3 como en la figura 1.1...
1466 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoSi la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la base del transistor debe protegerse siempre con una resistencia de una valor alto. Véase anexo III. Tipos de transistores bipolares Existen 2 tipos de transistores BJT. Las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor, si se tiene duda sobre lo que significa dopaje y materiales de dopaje tipo “P” y “N”, revise el glosario. NPN La mayoría de...
780 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoTransistor de unión bipolar El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes...
671 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoPodemos clasificar los transistores en 2 grandes grupos: BJT y FET. - BJT (de unión dipolar) Están formados por dos uniones pn y constan de 3 terminales (colector, base y emisor), que se corresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el emisor entra un flujo de portadores que a través de la base llega al colector (los sentidos de la corriente están indicados en la figura). Los transistores bipolares se suelen usar en configuraciones de emisor común, para poder controlar la...
677 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoFuncionamiento del transistor BJT En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo...
1021 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoJUAN CARLOS 3.- ESCOBEDO PADILLA VÍCTOR PROFESOR: JOSÉ ANTONIO MENDOZA HERNÁNDEZ CARRERA: ING. ELECTRÓNICA GRADO: 5° SEMESTRE GRUPO: 3501 CONFIGURACIONES DEL BJT PARA LA AMPLIFICACIÓN DE UNA SEÑAL OBJETIVO: Conocer y simular las diferentes configuraciones del transistor BJT, para la amplificación de una señal e implementar un circuito donde se compruebe el fenómeno de amplificación. FUNDAMENTOS TEÓRICOS: Los transistores son elementos muy versátiles. Podemos...
518 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoNombre de la Amplificador BJT multietapa Cantidad de Práctica: 13 alumnos: Fecha y hora de 27 y 30 de junio de 2014 / 7:00 a 8:40 hrs. Práctica realización: 1 Número: Periodo: Enero-Abril de 2014 Laboratorio: 403 Profesor que Felipe de Jesús Velázquez González Grado y Grupo: ELE5A realizó: Alumnos: Orlando Mancera Maldonado Gerardo Isaac Ramírez Azano 1. Objetivo general: Analizar y verificar la operación del amplificador BJT multietapa 2. Competencias...
1371 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoRESPUESTA FRECUENCIAL Modelo BJT de alta frecuencia Cπ=Cje+Cde V 1- BE V0e C I Cde = C τF VT Cje = Cje0 m B rb ib + vbe rπ - Capacidad de unión entre base y emisor Cµ Cπ r0 ic gmvbe Capacidad de difusión de base ie E Cjc = Cjc0 Cµ=Cjc m V 1- CB V0c Capacidad de unión entre base y colector tecnun RESPUESTA FRECUENCIAL Modelo MOS de alta frecuencia G ig + vgs - Cgd Cgs is gmvgs r0 gmbvbs id D Cbg Csb B S Cdb tecnun RESPUESTA...
554 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo1. Detalle las condiciones para los que un BJT y/o FET puede operar en baja frecuencia. El análisis del transistor como amplificador se hace bajo condiciones donde se encuentra linealidad entre las características de la señal de entrada y la de salida. Estas son la de tener pequeña amplitud y baja frecuencia; es decir cuando la entrada es menor de los 25mV y utilizando frecuencias en la banda de audio-frecuencia que es de 100Hz a 10Khz, pudiendo abarcar alta fidelidad hasta 30 Khz y ultra sonido...
979 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoMATERIA ELECTRONICA ANALOGICA TEMA APLICACIÓN DEL TRANSISTOR BJT CARRERA T.S.U MECATRONICA CUATRIMESTRE: 2DO GRUPO: C SAN ANTONIO CARDENAS, CARMEN CAMP; A 1 DE MARZO DEL 2012 Contenido INTRODUCCION 3 OBJETIVO 4 MARCO TEORICO 5 TRANSISTOR BIPOLAR 5 RESISTENCIAS 7 LEDS 8 FUENTE 9 VOLTIMETRO 10 MATERIAL Y EQUIPO 11 PROCEDIMIENTO DE LA PRÁCTICA DE LA APLICACIÓN DEL TRANSISTOR BJT. 11 TABLA DE CONTENIDO 12 CONCLUSION 13 INTRODUCCION ...
1629 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completo1. El transistor de potencia BJT El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, esta es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control...
516 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoMarco teórico BJT: Transistor bipolar de unión. Es aquel dispositivo electrónico que está constituido por tres materiales semiconductores extrínseco, de forma PNP o NPN, es decir, porción de material N, seguido de material P, luego otra porción de material N, en el tipo NPN, y de forma análoga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor BJT se conoce también como transistor bipolar, porque la conducción es a través de huecos y electrones. La zona central se denomina...
518 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoun voltaje entre la compuerta y el surtidor. Principio de operación del JFET (de canal N). El J-FET tiene tres regiones de operación. Estas regiones son: | Zona Lineal. | | Zona de Saturación. | | Zona de Corte. | Zona Lineal. Si se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenador al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitada por una resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden...
1414 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoTIPO DE PRACTICA: Proyecto por Etapas X Demostrativa TEMA: Aplicación del BJT No PRACTICA 4 NUMERO DE SESIONES: 2 FECHA(S) DE CADA SESIÓN: Abril 7 y 9 de 2015 No INTEGRANTES 3 No GRUPO 1.1 Laboratorios de Ingeniería Sede: CLL 20 X CRA 5 PROFESOR: Luis Fernando Asela Mariño NOMBRE ASIGNATURA: Electrónica I FECHA DE ENTREGA: Abril 9 de 2015 MATERIALES: Protoboard...
840 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoCircuitos Amplificador BJT Juan Nicolas Ibañez Rodriguez, Cristian Jerez, Stevan Vargas Electronica 2 ,Universidad Cooperativa de Colombia. Bogota, Colombia Nicolas.ibañez@campusucc.edu.co RESUMEN: Este informe quiere proyectar la experiencia adquirida por nosotros en el análisis de circuitos amplificadores en baja señal, teniendo como referencia tres puntos diferentes tales como los datos matemáticos calculados por nosotros, la simulación en ORCAD y la practica en el laboratorio, buscando conclusiones...
1130 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoPractica 1 Electrónica II: Transistores BJT Nestor Fabian Delgado 20081005002, Juan Pablo Sánchez 20081005, Wilson Ricardo López 20081005051 Universidad Distrital Francisco José de Caldas, Ingeniería Electrónica Bogotá D. C., Colombia nfabian.1231@gmail.com juanpablos88@hotmail.com wilri_lo@hotmail.com Abstract – En este informe se presenta el desarrollo, diseño e implementación de dos problemas, cada uno referente a las aplicaciones del transistor BJT, amplificación de señal, y conmutación...
1068 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoCONFIGURACIONES BASICAS DEL BJT INTRODUCCION La siguiente práctica es sobre las configuraciones básicas del BJT (Bipolar Junction Transistor) para la elaboración de amplificadores mediante divisor común. Conocer los métodos de análisis para su estudio es primordial para lograr diseños eficientes y útiles de acuerdo a las necesidades que se tengan, así como también esto nos permite detectar errores y fallas en caso de no funcionar correctamente un amplificador de cualquiera de estos tres tipos...
1187 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completodel BJT * Ganancias de voltaje, alpha y beta * Modos de operación * Punto de operación * Modos de conexión del transistor * Laboratorios: * Transistor PNP * BJT Amplificador Clase A * BJT Amplificador Colector Común * Trabajo especial: Transistores BJT, FET y MOSFET En resumen el capítulo 17 del libro de texto. Iniciamos con el tema de hoy. Un transistor en configuración de colector común se ve como el siguiente circuito. Parece un BJT conectado...
1196 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoINFORME CIRCUITO AMPLIFICADOR BJT UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELECTRICA, ELECTRONICA Y DE TELECOMUNICACIONES LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA BUCARAMANGA 2010 CIRCUITO AMPLIFICADOR BJT INTRODUCCION: Los transistores bipolares de unión (BJT) se utilizan en circuitos analógicos, (amplificadores, filtros, conversores A/D, D/A, etc.), y digitales. El objetivo de la presente práctica es el estudio de este tipo de transistores como amplificadores...
849 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoFET vs BJT Transistores BJT El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP. Cuenta con 3 patitas que se denominan de la siguiente manera: base (B), colector (C) y emisor (E). Tipos: Su función y composición… Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando...
883 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completobatería. BJT El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero...
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